科研进展

近期，团队受“脆-韧”层压结构启发合成了一种应力诱导石墨烯封装液态金属宏观框架，以提高多功能环氧纳米复合材料的断裂韧性和多功能特性；并研究了其电磁干扰屏蔽、室外除冰性能。

中科院上海微系统所王浩敏课题组采用化学气相沉积法在预处理碳化硅衬底表面实现气相催化辅助石墨烯生长，并以其成功制备高计量准确度的量子霍尔电阻标准芯片。

本工作报道了一种通过化学气相沉积技术在锌箔上直接生长的石墨烯皮肤。这种超薄（20 nm厚度）的“马赛克”状纳米晶烯肤具有较高的电导率，从而保证锌在其上表面沿(002)面取向沉积；同时，生长过程中原位掺入的氮/氧原子有利于锌离子的去溶剂化，加速反应动力学。

近日，摩德纳-雷焦·艾米里亚大学Valentina De Renzi，罗马萨皮恩扎大学Maria Grazia Betti提出了钾在独立的纳米多孔石墨烯上的吸附，从而避免了底物的任何影响。

最近，皇家墨尔本理工大学Jia Baohua 通过利用二维（2D）材料的光学和电学特性对Si进行适当的界面修饰，可以显著改善器件性能。

将具有强拉电子基团的酞菁和四苯基卟啉通过自由基加成反应依次键连到石墨烯表面，石墨烯在形成的三元杂化体系中起到桥连作用，延长了杂化体系的电荷分离态，增强了该有机-无机纳米共轭材料的三阶非线性性能。

“石墨烯的力量在于其扁平的二维结构，由已知最强的化学键连接在一起，”de Heer 介绍称，“从一开始就很明显，石墨烯的小型化程度要比硅强得多，可以制造出更小的设备，同时可以用更高的速度运行，产生的热量也小得多。这意味着，在原则上，石墨烯芯片可以比硅芯片封装更多的元器件。”

为了创建新的纳米电子学平台，研究人员在碳化硅晶体基板上创建了一种改良形式的外延石墨烯，用电子级碳化硅晶体生产了独特的碳化硅芯片。

与裸铜相比，GL铜的功率密度提高了5倍，电流密度提高了4倍。GL可以缓解底层铜表面点蚀的问题，并将甲醇脱氢的电荷转移阻力降低了4个数量级。作者提出的铜电极上无催化剂甲醇脱氢方法可以提高燃料电池技术的整体持续性能。

本报告旨在阐述一种高效的紫外（UV）激光直写法制备氧化石墨烯(GO)/还原氧化石墨烯(RGO)纸的方法。由于去除含氧基团，在氧化石墨烯薄膜一侧引入层状微纳结构。采用适当的激光功率对氧化石墨烯薄膜进行单面还原。在乙醇蒸汽中，基于氧化石墨烯/还原氧化石墨烯纸的致动器在60 s内达到稳定变形，30 s内可恢复变形，显示了有机分子的刺激响应特性，具有潜在的应用价值。制备的GO/RGO纸显示了由乙醇蒸汽触发的各向异性变形，并可能使刺激响应致动器的潜在应用成为可能。激光辐照法具有效率高的优点。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室路建明研究员课题组在氮化硼与双层石墨烯晶格对齐形成的摩尔超晶格体系中发现了极大的铁电极化，其电荷面密度高达1013cm-2，远超过摩尔窄带所容纳的电子密度；高达5pCm-1的界面极化位于人工堆垛范德华异质结中最高界面铁电之一。

他们将二维石墨烯材料代替传统的金属电阻加热器，大幅提升了原位加热芯片的性能。该加热芯片可在26.31 ms内加热至800 ℃，功耗仅为0.025 mW/1000 μm2。同时，在加热至650℃时，芯片因加热产生的形变仅约为50 nm，相比传统的金属加热芯片，该形变降低了约两个数量级，有效解决了在加热过程中芯片观察窗口因受热形变引发的失焦问题。