科研进展

寻求最先进的碳涂层来保护高容量硅负极，因为该负极具有低电导率、大的体积变化和快速降解的缺点。然而，当处理碳壳和尺寸变化剧烈的硅微粒（SiMP）之间的物理-电气断开时，这种方法是不够的。鉴于此，天津大学杨全红、吴士超等开发了共价涂层的策略，以建立坚固的封装结构。

该文章回顾了近年来基于激光直写石墨烯(LSG)技术的传感器应用的最新进展。首先，介绍了LSG的两种合成路线及改性。然后介绍了LSG在应力、生物、气体、温度和湿度传感器的应用，同时还重点介绍多功能集成传感器的应用研究。最后，对LSG传感器所面临的挑战和展望提出了想法。

北京航空航天大学宫勇吉课题组开发了一种利用有机分子（如1,2-二氯乙烷）的嵌入策略，以削弱层间相互作用，并诱导用于tBLG制造的最顶层石墨烯层的滑动或旋转。

热烈祝贺清华大学与蒙京研究院共同获得《一种天然石墨基散热膜及其制备方法》发明专利证书。（专利号为：ZL 2023 1 0254883.8）

扭曲石墨烯在特定的“魔角”（例如1.1度和1.8度）下具有平坦的电子能带结构，其中电子的能级分布在大范围的动量空间中，导致密度接近于零。这导致了各种有趣的现象，例如莫特绝缘体行为、超导性和拓扑状态。

刘开辉首先从凝聚态物理与低维材料的概念引入，依次介绍了理想二维材料的定义、二维材料稳定存在的可能性以及石墨烯研究热潮的兴起及应用价值。随后，刘开辉详细讲述了单层石墨烯及厚层石墨烯的制备策略：对于单层石墨烯，研究证明多核协同生长的路径最为有效，并成功实现了米级单晶单层石墨烯的制备；对于厚层石墨烯，面对二维材料难以长厚的困境，刘开辉及其团队迎难而上，通过类比“牛吃草挤奶”，最终设计出“单晶镍吃碳渣，长黑金”的方式，成功实现了十万层厚石墨的生长。从大尺寸、高质量单层单晶石墨烯的制备，再到十万层单晶石墨的突破，刘开辉和他的团队一直坚持不懈、不忘初心、信念坚定，最终取得了国际领先的科研成果。

总结了二维材料片上集成的最先进制造技术，概述了二维材料的材料特性和片上应用，全面回顾了用于在芯片上集成二维材料的不同方法，包括材料合成、片上转移、薄膜图案化和属性调整/修改等等。同时，文章还讨论和总结了集成二维范德瓦尔斯异质结构的方法。最后，文章分析了二维材料片上集成当前的技术挑战和未来的前景。

他们首先生产氧化石墨烯，然后在两种不同的温度下——25°C（GO-DA1 和 GO-ODA1）和80°C（GO-DA2 和 GO-ODA2）——用两种类型的烷基胺（癸胺 (DA) 和十八胺 (ODA)）对其进行功能化。使用熔融混合技术，将这些功能化的 GO 纳米颗粒填料以不同的负载量（0.2、0.7、2 wt%）掺入 PLA 中。制备的复合薄膜厚度为 1.0 毫米（用于机械测试）或 0.1 毫米（用于渗透率分析），并经历了一系列其他表征阶段，包括 FTIR 光谱、热重分析和差示扫描量热法。