科研进展

本研究采用电容器放电快速焦耳加热法对煤焦油进行处理，利用SEM、TEM、XPS、XRD、拉曼光谱和EPR等多种表征手段，系统研究了处理前后样品在形貌结构、化学成分及自由基浓度等方面的变化规律。

作者报道了通过六方氮化硼（h-BN）间隔层实现具有不同层间距的二维半导体WS2-石墨烯范德华异质结中的能量转移机制。记录了在0.5 ~ 5.8 nm（0-16 h-BN层）层间距处的光致发光和反射光谱。研究发现，能量转移主要由光锥外的态主导，这表明Förster转移过程，在0.5 nm层间距处的Dexter过程也有额外的贡献。此外，可以使用热化电荷载流子的Förster转移速率值来定量描述测量的发光强度对1 nm以上层间距的依赖性。

在会议的首个环节，Robert Young院士以“MultifunctionalCarbon-Based Nanocomposites”为题，详尽阐述了碳基纳米复合材料的多功能特性及其在现代科技领域的广阔应用前景，重点介绍了石墨烯和包括其他二维材料在内的纳米复合材料的结构和变形的研究。尽管年事已高，他对学术的热情如同年轻人一般，站立演讲时的活力和热情感染了每一位听众。

本文对三维集成技术和二维材料在半导体领域的潜在应用进行深入剖析和探讨。首先，文中指出了三维集成技术在数字电子学和技术发展中的重要性，尤其是在解决晶体管尺寸持续微型化和功能增强方面的潜力。其次，文章突出了二维材料作为解决晶体管尺寸缩小挑战的重要性，强调了二维半导体的优势和广泛应用前景。进一步地，文章详细讨论了二维材料的成长技术和电子器件性能的进展，强调了这些技术突破对于推动晶体管尺寸持续微型化的重要性。

自由能模拟表明碳活性物质的附着和甲烷活化都对生长的表观活化能(1.9±0.3 eV)有贡献，碳单体和二聚体都很容易结合到液态Cu表面，生长主要通过前者的附着进行。因此，二聚体附着作为固体Cu缺陷形成的可能来源已经减少，形成的五元环的自修复机制可以进一步减少石墨烯在液体表面边缘的缺陷。这些发现促进了我们对石墨烯在液态铜表面CVD生长所涉及的原子过程的理解。

二维材料电子器件制备和使用过程中，有意或无意地不可避免地会引入一定的缺陷（如空位缺陷），二维材料中缺陷的引入使得2D/3D本征界面特性转变为非本征界面热输运，这可能显著改变二维材料界面传热。因此，进一步深入研究二维材料非本征热输运特性和机理显得同样重要。

本研究旨在比较硅基MOSFET和基于二维材料的MOSFET技术之间的差异，并探索如何解决二维材料在大规模集成电路中的应用难题。通过从通道工程、接触工程和介质工程三个角度对器件工程进行分析，研究团队致力于找到适用于二维材料的性能优化途径，并提出了相应的解决方案。这些方案不仅可以克服硅基器件在超过亚10纳米尺度时面临的限制，还为二维材料在未来先进技术节点上的应用提供了可能性。