石墨烯网
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江苏大学采用石墨烯研制UV电磁屏蔽涂料
研究项目组对所制得的基于氧化石墨烯的紫外光固化的抗电磁屏蔽涂料的电导率、表观粘度、粒径和表面张力等物理性能做了测试,发现当氧化石墨烯的用量为聚醚多元醇NJ-220质量的3.8%时,电导率接近纯石墨烯电导率,具有较强的电磁屏蔽效能。
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物联网技术突破或将使折叠电视成为现实
该统一理论模型不仅能解释影响OTFT器件稳定性的内在机理,还能解释碳纳米管、石墨烯等具有高导电特性的薄膜器件,为OTFT大规模应用提供了理论依据。
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欧盟发布石墨烯科技路线图
与招标公告同时发布的还包括一份石墨烯科技路线图。该路线图计划每两年更新一次,旨在为基于石墨烯、二维晶体和混合系统产品的开发提供指导。(张娟编译)
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内蒙古将建石墨烯产业技术创新联盟
为加快内蒙古石墨稀产业的转型升级,加强区域支柱产业的技术创新能力,提升内蒙古石墨烯产业核心竞争力,促进资源共享和互惠互利,内蒙古自治区正着手组建石墨烯产业技术创新战略联盟。
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新法制得高质量石墨烯纳米带
一支由法、美、德三国研究机构和大学组成的国际研究团队近日利用新方法合成了高质量石墨烯纳米带,并成功在室温下验证了其非凡的导电性能。这种纳米带为新型电子设备的研发开创了新的发展空间。相关研究刊登在《自然》杂志网站。
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石墨烯产业化快马加鞭 可用于制作超轻防弹衣
石墨烯神秘又神奇的特性令人对其未来前景产生无限联想。目前在国内,有关石墨烯的应用研究开展得如火如荼,众企业和园区皆对石墨烯产业情有独钟,一些地方政府也拿出资金予以扶持,并试图抢占石墨烯产业发展高地。专家表示,石墨烯优异的性能使其应用价值和应用范围极大,有望形成万亿元产业规模。
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实地探访江南石墨烯研究院及江苏石墨烯产业链企业 石墨烯产业化应用梦想照进现实
近日,证券时报记者来到中国石墨烯研究和应用领先的江苏省,实地探访了江南石墨烯研究院及石墨烯产业链条上的相关企业。记者亲眼见到了批量化生产的石墨烯粉体,零距离接触石墨烯材料的透明导电薄膜和石墨烯触摸屏手机,以及添加了石墨烯材料的防腐涂料、塑料等一系列的新型材料。
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金路集团:石墨烯项目获政府5年2500万支持
从2014年起,公司与金属所合作的石墨烯研发应用项目产生的研究成果和知识产权,由德阳旌华资产投资经营有限公司(简称“旌华公司”)代表高新区管委会享有该合作成果总权益的10%;高新区管委会每年给予公司500万元资金支持石墨烯研究开发和应用,时间为5年(从2014年到2018年)。
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厦大自主研发深紫外光子学材料获新进展
课题组成员吴雅苹博士开发出大尺度石墨烯单晶,它能克服传统透明电极材料对深紫外光吸收强的弱点,为深紫外光电集成提供了一种可选的电极材料。
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中超电缆联手设立石墨烯电缆合资公司
中超电缆1月13日晚间公告称,公司于当日与江南石墨烯研究院、西安交大技术成果转移有限责任公司、常州第六元素材料科技股份有限公司在2013年签署合作意向书基础上,经协商,四方一致同意签订《合作协议》,拟在江苏省常州市西太湖科技产业园区共同投资设立常州中超石墨烯电力科技有限公司(简称“中超石墨烯”)。
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中国首条石墨烯基超级电容器生产线在常建成 可替代传统蓄电池 推动电动汽车发展
常州立方能源技术有限公司10日宣布建成中国首条石墨烯基超级电容器生产线。同时,石墨烯基超级电容器样品成功下线。这标志着常州在石墨烯应用领域又取得新突破,从而推动了石墨烯的产业化进程。
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锡政发[2014]2号 关于促进无锡石墨烯产业发展的政策意见
近年来,我市涌现出一批石墨烯创新型企业,部分技术和产品已处于国际国内领先地位,成为战略性新兴产业的新亮点之一。为进一步加速推进无锡石墨烯产业发展,认真落实《无锡市石墨烯产业发展规划纲要(2013年—2020年)》(锡政办发〔2013〕287号),现结合阶段性发展目标,制定本政策意见。
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石墨烯第一号标准发布
昨天,记者从中国石墨烯产业技术创新战略联盟了解到,2013年12月31日,中国石墨烯标准化委员会正式发布中国石墨烯第1号标准“石墨烯材料的名词术语与定义”,并于2014年1月1日起实施。
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宁波石墨烯设备正在调试 下游应用或是瓶颈
备受瞩目的、具有全球首条之称的石墨烯规模化生产线上月底在宁波慈东滨海新区建成投产。记者从宁波石墨烯技术相关责任人刘兆平处获悉,目前该生产线正在调试设备,预计一两个月后生产能够有较大进展。
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2013年世界科技发展回顾 信息技术创新改变生活
美国加州大学的研究人员提出了一种名为“芯片上的机柜(racks-on-chip)”的半导体储存技术演进方案,根据该方案,现有数据中心将被芯片级储存设备所替代,芯片内建分布式服务器以及网络交换机。美印科学家组成的国际小组,利用“石墨烯片”对以往的“分子存储”实验技术进行了改良,使其能在零摄氏度左右运行,并使制造工艺简化。该技术有望用来设计新的有机分子。1月,曼彻斯特大学科学家设计出一种新型石墨烯晶体管,在其中电子可借助隧穿和热离子效应,同时从上方和下方穿越障碍,并在室温下展现出高达1×106的开关比率,这种优异的速度提升使其能够在后CMOS设备时代占有一席之地,并有望达到更快的计算速度。