QTREX的专利待批技术首次实现将3D打印绝缘材料直接转化为类石墨烯碳，以保护量子处理器

东北大学的研究在所有20种测试的激光加工条件下均制备出了导电碳；QTREX计划于2026年第三季度末将该基础介电材料作为DF INSU300推向市场

以色列内斯齐奥纳，2026年8月19日（GLOBE NEWSWIRE）—— – 专注于推进用于量子计算基础设施的增材制造电子产品（“AME”）的QTREX Quantum Ltd.（纳斯达克代码：QTEX）（以下简称“QTREX”或“公司”）今日宣布，其一项正在申请专利的技术旨在解决量子计算规模化过程中公认的障碍之一：杂散辐射。该辐射会破坏库珀对、产生准粒子、缩短量子比特寿命并推高错误率。该技术利用局部激光加工，首次实现了将3D打印介电材料直接转化为导电的类石墨烯碳材料。打印出的绝缘材料中的特定区域被转化为带图案的导电结构，无需添加导电材料或进行单独的组件组装。打印出的绝缘材料本身便成为了导体。QTREX 目前正在将这一功能集成到量子封装中，作为单片式杂散光子吸收器，旨在在有害光子到达超导电路之前将其拦截。

东北大学开展的一项研究中，利用QTREX的AME平台及其DF INSU300介电材料，在测试的所有20种激光加工条件下均制备出了导电碳，拉曼光谱分析证实了该碳材料具有类石墨烯结构。通过调节激光功率和扫描速度，研究人员成功控制了电阻值和转化深度，并确定了一个在电气性能与打印基板完整性之间取得平衡的实用制造窗口。这正是“生产材料”与“设计组件”之间的区别：研究结果确立了一种可控且可重复的工艺，可在打印的量子基础设施内选定位置制造功能性碳结构。

随着量子处理器向更高量子位数量扩展，保护措施必须更贴近敏感电路，同时不增加组件数量或提高组装复杂度。因此，QTREX 已将该技术推进至低温和高频环境下的验证阶段，测量了激光刻写碳材料的电学行为以及集成吸收器架构的吸收响应。目标是将光子保护功能直接集成到打印封装和互连结构中，而非附加其上：将吸收结构精确定位于电路最易受光照射的位置，旨在取代笨重的分立元件，减少装配接口，并回收低温恒温器内部的关键空间。

“仅靠组装无法实现百万量子比特，”QTREX首席执行官达吉·本-努恩（Dagi Ben-Noon）表示，“QTREX正将印刷封装本身转化为保护系统的一部分。我们所建立的材料能力，使我们能够在架构所需的精确位置——即最敏感的超导电路附近——创建功能性结构。这正是量子计算实现规模化所需要的架构：将保护、互连和机械结构作为单一集成系统进行制造。”

QTREX计划于2026年第三季度末正式推出DF INSU300产品，将东北大学研究中使用的介电材料引入公司的商业平台。预计随后将公布低温和高频验证计划的结果。该公司正在与现有行业合作伙伴共同推进吸收器应用的开发，同时扩大与更多量子计算公司的合作。后续的研发路线将评估与超导材料及电极的集成，包括旨在探索近邻效应和约瑟夫森效应的配置——这些效应正是当今领先超导量子处理器核心的结物理现象。这些研发路线共同构成了从集成式被动保护到印刷量子组件的发展路径。

关于 QTREX Quantum

QTREX Quantum 有限公司（纳斯达克代码：QTEX）是一家专注于为下一代硬件市场提供先进连接和电子制造解决方案的技术公司。在收购AME平台后，该公司正在为稀释式低温恒温器开发高密度、热优化量子连接解决方案，并推进AME在国防、航空航天、导弹、太空及其他任务关键型环境中的应用。此外，该公司还持续推进其医疗技术产品组合的发展，包括呼吸支持和血液监测平台，同时积极致力于将医疗业务的某些部分实现商业化。