Nano Lett.:双层石墨烯量子约束器件中的电荷振荡

本文观察到在干涉仪内部形成的量子点电荷引起的两种类型的电阻振荡。通过测量振荡对磁场、栅极电压和直流偏置的依赖性来获得点的大小、位置和充电能量。本文分析和讨论了量子点的起源及其对量子霍尔边缘态背散射和干涉的影响。在这些研究中获得的见解揭示了范德华量子约束器件的构造。

Nano Lett.:双层石墨烯量子约束器件中的电荷振荡

成果介绍

量子约束结构是基础物理探索和技术应用中量子器件的基石。

有鉴于此,近日,美国宾夕法尼亚州立大学Jun Zhu和Hailong Fu(共同通讯作者)等采用两种不同的栅控策略制作了双栅控双层石墨烯Fabry-Perot量子霍尔干涉仪,并进行了有限元模拟,以了解约束结构的静电特性,并指导器件的设计和制造。本文观察到在干涉仪内部形成的量子点电荷引起的两种类型的电阻振荡。通过测量振荡对磁场、栅极电压和直流偏置的依赖性来获得点的大小、位置和充电能量。本文分析和讨论了量子点的起源及其对量子霍尔边缘态背散射和干涉的影响。在这些研究中获得的见解揭示了范德华量子约束器件的构造。

图文导读

Nano Lett.:双层石墨烯量子约束器件中的电荷振荡

图1. BLG量子霍尔干涉仪的结构原理图及有限元模拟。

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图2. 器件图像和表征。

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图3. 器件D1中库仑充电诱导的电阻振荡。

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图4. D2器件中量子点介导的边缘态背散射。

文献信息

Charge Oscillations in Bilayer Graphene Quantum Confinement Devices

(Nano Lett., 2023, DOI:10.1021/acs.nanolett.3c02253)

文献链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c02253

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