陈秀芳

山东大学新一代半导体材料研究院陈秀芳教授、任华英教授和郁万成教授团队提出了一种将缓冲层形成与石墨烯生长解耦的分步生长策略，通过缓冲层介导的生长动力学调控，从根本上解决了传统高温生长工艺中大台阶聚并和台阶边缘主导成核的两大核心瓶颈。

本文基于石墨烯/SiC衬底实现了应力弛豫GaN薄膜的外延生长，揭示了石墨烯上GaN的外延机理，为石墨烯上外延生长氮化物研究提供了帮助。该工作中石墨烯的插入显著地降低了GaN薄膜中的残余应力，有效提高了其上InGaN/GaN量子阱中的In组分，有助于发展高性能长波长的氮化物光电器件。