王雷

这项工作首次从实验上揭示了一个不同于传统二维和三维极限、由有限厚度与层间相干共同定义的“穿越维度”电子输运新范式。它不仅发现了一种全新的反常霍尔效应类型，更重要的是确认了一种由强电子关联、轨道环路电流和层间相干共同稳定的全新轨道铁磁物态。这一突破将人们对反常霍尔效应的理解从传统二维/三维二分图景拓展到一个全新的维度区间，为多层石墨烯以及更广泛范德华量子材料中的强关联轨道物理研究开辟了新的方向。

过渡金属硫族化合物(TMD)是二维材料家族的重要分支，与石墨烯的零带隙的导体属性不同，部分TMD二维材料是具有带隙的半导体，理论上是将来有望打破硅基芯片垄断的候选材料之一，“相比硅基芯片，TMD二维材料具有更高的载流子迁移率，也有更高的开关比，同时其天然的小尺寸与优越的散热性能，有望让芯片变得更小更快更节能。”