孔玮

本文系统综述晶圆级二维材料的关键制备技术，从面内单晶外延、垂直同质结构外延、可规模化异质结构外延，到人工转移堆叠与界面调控，全面梳理对称性引导外延、台阶引导外延、界面工程、偏析外延、远程外延与确定性堆叠等核心策略，结合系列关键图表深入阐释结构 — 界面 — 性能的构效关系，明确低温非晶格匹配外延、晶圆级精确转角控制、原子结构与器件性能关联表征等前沿方向，为理性设计大面积二维范德华功能结构提供统一框架与路线指引。

扭转莫尔超晶格已成为探索二维新奇物性的核心平台，但仍面临三类关键挑战：其一，研究长期集中于六方高对称体系，低对称与跨晶系堆叠稀缺，而对称性破缺恰是调控拓扑态、光电响应与偏振的重要抓手；其二，直接生长虽具洁净界面优势，却受材料对称性与热力学平衡限制，难以获得目标扭角，且扭转异质结与大面积生长仍待突破；其三，人工堆叠兼容性强但易污染与损伤，真空干转移与可原位调扭技术有望实现超洁净界面与实时调控。未来结合 AI/大数据进行结构—扭角—性能预测，将加速发现新的“魔角”与功能器件窗口。