北京大学

在本研究中，通过在市场上可买到的非金属 AF/AFF 基底上直接进行石墨烯 CVD 生长，开创了GAF/GAFF的先河。值得注意的是，在γ-Al2O3-AF 上生长石墨烯的过程中，首次在非金属衬底上发现了石墨烯独特的 VSS 生长模式，这与在传统催化惰性非金属衬底上观察到的众所周知的 VS 生长模式截然不同，从而导致了石墨烯相对快速的低温生长。所提出的 VSS 生长模型大大推进了我们对非金属基底上石墨烯 CVD 生长的理解。除了实验室水平的 GAFF 制备，我们还实现了大规模 GAFF 的稳定量产。

本工作首次报道了通过二元前驱体协同CVD策略在GFF基底上可控生长石墨烯。利用分解效率高的乙炔作为活性炭原料实现石墨烯的快速生长，含氧丙酮则可提高石墨烯层的均匀性和晶体质量。二元前驱体的协同作用实现了石墨烯生长速率的提高同时降低了石墨烯的缺陷密度。设计了二元前驱体分叉引入-合流预混（BI-CP）系统，包括利用高精度注射泵控制液态丙酮的输送、二元前驱体与载气的预混合和汽化、气相传输管线的加热措施和监测单元，实现了前驱体的稳定可控引入。设计的BP-CP CVD系统可实现批次间和批次内GGFF的稳定制备，在热管理应用方面具有巨大的潜力。

在这篇述评中，我们展示了在单分子电子学和光电子学领域的持续研究，特别强调使用石墨烯-分子-石墨烯单分子结作为主要框架的研究。

本综述主要关注二维范德华材料外延生长的最先进技术路线，探讨畴成核、横向扩展和垂直构建的基本原理和技术路线。它分为三个主要部分。在第一部分，我们讨论二维单晶单层面内方向外延的现状，包括单畴的成核控制、多畴的取向控制以及针对缺陷的质量控制。在第二部分，我们深入探讨二维材料沿面外方向生长的关键科学问题、策略和进展，包括均质多层和扭转同质结构的制备。最后，我们对外延生长的战略方向进行了总结和展望，并为新兴二维材料的发展提供了指导建议。

论文首先回顾了过去二十年湿纺碳纳米管纤维的发展历程。从碳纳米管纤维首次通过湿法技术制备以来，经历了表面活性剂、生物质分子、超强质子酸等多种分散体系，纤维的纺丝及后处理工艺也在不断优化。论文涵盖了碳纳米管纤维湿纺整体技术路线，碳纳米管分散机理，纤维凝固过程，以及后处理工艺。

OVG沉积在芯片与散热器的接触界面上，作为热传导增强层，促进热量从芯片快速传递到散热片。BVG则沉积在散热器的翅片表面，作为热辐射增强层，促进热量从散热器快速辐射到周围空气中。

研究建议使用carbopol水凝胶（HG）局部施用纳米氧化物（GOn）和部分还原纳米氧化物（p-rGOn），用于BCC的光热疗法（PTT）。