北京大学

2021年6月17日上午，北京大学化学与分子工程学院（以下简称北大化学学院）博士后20余人赴北京石墨烯研究院（BGI）参观学习和交流。

复旦大学化学系张黎明课题组与北京大学张锦课题组、南洋理工大学李述周课题组合作，利用石墨炔/石墨烯（GDY/G）异质结构作为二维导电载体锚定酞菁钴分子（CoPc），实现高效电化学还原CO2制备CO。

近日，中科院金属研究所刘洪阳研究员，北京大学马丁教授，香港科技大学Ning Wang，Xiangbin Cai报道了通过Pt-C键在富缺陷的石墨烯上制备了完全暴露的Pt3团簇，通过原子分散的Sn启动子进行几何分割，可以精确地调节担载的Pt团簇的配位数（CN）。

近日，北京大学刘忠范院士、彭海琳教授团队，英国曼彻斯特大学Li Lin和中国科学技术大学黄生洪团队合作，采用异位成核策略，通过化学气相沉积法来制备出高质量的扭曲双层石墨烯，在双层石墨烯域中，扭曲角度为0 ~ 30°的扭曲双层石墨烯的比例提高到88%，明显高于之前的报道。这种有意设计成核位点的合成策略为石墨烯和其他精确控制层间扭曲的二维材料的可控生长带来更多的启发。

有鉴于此，北京大学白树林教授等人，报道了3D打印过程中石墨烯填充热塑性聚氨酯(TPU)复合材料的不对称排列结构的形成。

北京大学信息科学技术学院电子学系碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室的张志勇-彭练矛联合课题组借助石墨烯工艺与硅基工艺的良好兼容性，开发了一种硅基CMOS集成电路和石墨烯霍尔元件的三维（3D）异质集成技术，得到的石墨烯霍尔传感器的综合性能优于现有的商业霍尔传感器。

北京大学刘忠范院士和张艳锋研究员团队通过使用射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD），在高硼硅玻璃衬底上生长了高质量的垂直取向石墨烯（VG）薄膜。

有鉴于此，为了解决这个问题，北京大学刘忠范院士，张艳锋研究员报道了采用射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD）工艺，成功在高硼硅酸盐玻璃上制备了无金属催化的N掺杂VG薄膜。

结构决定性质。如图2所示，张锦教授团队统计分析了不同结构的石墨烯材料的竖直热导率。相比于平面状的石墨烯薄膜以及石墨烯随机取向的复合材料，竖直结构的石墨烯材料具有更高的竖直热导率，表现出更优异的散热性能。其次，图中最高点（红色五角星）为PECVD法制备的竖直石墨烯的热导率，表明自下而上法在组装制备高性能石墨烯基热界面材料中更具潜力和优势。

2020年5月27日，北京大学物理学院刘开辉研究员、王恩哥院士与南方科技大学俞大鹏院士、韩国蔚山科学技术院丁峰教授等合作在高指数单晶铜箔制造方向上取得重要进展。研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。相关研究成果以“Seeded growth of large single-crystal copper foils with high-index facets”为题在线发表在《自然》杂志上。