北京大学

  • 北京大学 Adv. Mater. :基于化学气相沉积石墨烯与范德华混合介质的高速电光调制器

    作为界面层的Sb2O3分子晶体不仅能促使Al2O3介质均匀生长,更与石墨烯形成范德华界面,可显著减少界面散射中心(如悬挂键),从而保持石墨烯的电子特性——平均载流子迁移率(𝜇)达10880 cm²·V⁻¹·s⁻¹,残余载流子浓度(n*)为1.35×10¹¹ cm⁻²。

    2025年11月28日 科研进展
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  • 【科研进展】菱方石墨烯中莫尔周期势对平带增强作用的直接观测

    在此项工作中,课题组与清华大学周树云团队进行了联合实验研究,利用角分辨光电子能谱研究了五层菱方石墨烯/氮化硼异质结的拓扑平带电子结构及莫尔周期势的影响。

    2025年11月27日
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  • 北京大学张锦院士、邵元龙研究员JACS:石墨烯助力塑料晶体突破过冷难题

    研究团队提出“旋转熵钉扎”机制,指出石墨烯表面通过限制分子旋转、重构氢键网络,显著降低了成核能垒,从而在抑制过冷的同时增强了能量储存能力。该研究结合同步辐射XRD、飞秒红外光谱与分子动力学模拟,揭示了从分子振动到晶格重组的多尺度结构演变路径,为解决塑料晶体过冷问题提供了全新策略。

    2025年11月7日 科研进展
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  • PRL | 彭海琳团队与合作者报道单层和双层石墨烯声子色散的非绝热重整化

    系统研究了单层和Bernal双层石墨烯中非绝热效应对声子色散的重整化。他们在整个布里渊区测量了单层和双层石墨烯的声子色散谱(图a和b)。高能量和动量分辨率的数据揭示,在布里渊区中心附近,单层石墨烯的纵向光学(LO)声子具有“W”形的色散行为,而双层石墨烯则展现出“V”形色散(图c和d)。这些都与常规的“U”形抛物线声子色散存在显著差异。结合理论计算,他们证明了这些异常的声子色散起源于非绝热电子—声子耦合对声子色散的重整化(图e和f)。进一步的理论分析表明,在石墨烯中观察到的结果对掺杂二维材料具有普适性。

    2025年10月5日
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  • 北大才女,麻省理工孔静教授 Nature:基于静电排斥的范德华材料转移技术!!

    本研究提出并实现了一种基于电双层(EDL)静电排斥机制的新型范德华(vdW)材料转移方法。该方法无需蚀刻,具有高通量、快速、晶圆级、低成本和高普适性的特点,适用于多种二维材料(如MoS₂、WSe₂、hBN、石墨烯、CNT等)及其生长基底(如SiO₂、蓝宝石、铜、SrTiO₃等)。通过将材料浸入32%氨水中,利用材料表面与基底间形成的EDL排斥力,实现温和、均匀、快速的剥离。该方法显著减少了传统转移过程中的裂纹、褶皱、聚合物残留和金属离子污染问题,实现了100%转移良率和原子级洁净界面。

    2025年9月25日 科研进展
    18200
  • 北京大学《Matter》:高导电石墨烯/碳纳米管涂层芳纶纤维,用于电磁干扰屏蔽

    研究提出一种基于维度工程的序列组装策略,利用二维石墨烯与一维碳纳米管的互补几何结构,在任意纤维表面构建出贴合紧密且坚固的涂层。该研究强调维度在引导液相纳米材料组装过程中的关键作用。所得石墨烯/碳纳米管涂层芳纶纤维(GCAFs)展现出高导电性和机械强度。经织造制成织物后,其平均电磁干扰屏蔽效能达85.88分贝,并在恶劣环境下保持性能稳定。

    2025年9月17日
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  • 科研进展丨织构调控实现单晶金属箔生长

    研究团队发明了一种大尺寸单晶金属箔通用制备技术,通过建立应变-变形储能-织构-单晶对应关系,揭示了金属箔单晶生长的内在机制。团队发现充分的变形储能是形成均一立方再结晶织构的关键,近100%的立方织构可引导金属箔稳定转变为单晶。该技术策略适用于铸造、轧制及电解等多种原料体系,可制备低/高晶面指数单晶铜箔与镍箔。该研究不仅为单晶金属的制造提供了全新的研究范式,更为单晶金属箔的工业应用奠定了关键材料基础。

    2025年9月4日
    18800
  • 成果 | 刘开辉课题组发现稳健锁模的二维材料异质结可饱和吸收体

    研究团队提出了一种二维异质结纳米腔可饱和吸收体,通过在光纤端面集成MoS2-BN-graphene-BN-MoS2异质结,精准调控异质结内部的光场分布,显著提升石墨烯的可饱和吸收性能(饱和强度降低约65%)。该异质结能够有效抑制孤子形成前的背景脉冲,从而阻止脉冲分裂以实现稳健锁模输出。同时,该异质结对光纤激光器腔内的偏振变化表现出更高的容忍度,在约85%的偏振态下都能稳定产生单孤子脉冲。这种异质结纳米腔为低维材料在可饱和吸收体中的实际应用奠定了基础,并有望用于光频梳、超连续谱源以及片上脉冲激光器等领域。

    2025年9月4日
    32700
  • 固态提纯方法制备超高纯度单晶石墨 | 进展

    研究团队以镍晶格为原子级传质媒介,将待提纯的碳原料放置于单晶镍基底一侧,通过精准解析不同元素在镍中的吸附、扩散及析出能垒,构建了具有元素选择性的原子筛提纯机制。该提纯方法如同为碳原子打造了一条“高速专用通道”,仅允许碳原子在镍晶格中定向传质,并在界面处有序外延生长,从而实现了超高纯度单晶石墨晶体的制备。

    2025年9月1日
    24800
  • 成果 | 刘开辉团队研制高稳定光纤集成石墨烯超快电子源

    研究团队创新提出了光纤集成石墨烯超快电子源,通过将石墨烯集成在光纤端面,利用石墨烯 “冷晶格、热电子”稳定电子发射特性和光纤单模激光稳定激发结构,研发出了高稳定超快电子源。

    2025年7月2日
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  • 北京大学刘开辉教授团队AFM:突破耐高压瓶颈!氧化石墨烯与碳纳米管复合膜助力高效纳滤技术

    通过引入碳纳米管(CNT)网络作为力学支撑框架,GO层原本的百纳米级支撑网格(衬底膜孔径导致)分割为”纳米级网格”。通过结构设计后的GO/CNT复合膜耐压强度达60 bar(较纯GO膜提升3倍),水通量最高可达966 L m-2 h-1(单位厚度通量较其他GO基纳滤膜提升1-3个量级)。

    2025年5月31日 科研进展
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  • Nature | 北京大学孙庆丰团队/北京师范大学何林团队共同揭示石墨烯基人工原子中的轨道杂化

    在研究的实验中,这些混合轨道在实际空间中直接可视化,并且通过数值计算和解析推导都可以很好地再现。本文的研究为设计无法通过实验在真实原子上获得的人造物质开辟了一条途径。此外,所得结果启发了不同系统中量子态的渐进控制。

    2025年2月27日
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  • 北京大学/北京理工大学ACS Nano:低成本制备大面积Au(111)单晶用于二维层状材料的外延生长!!

    文章提出了一种通过异常晶粒生长过程从商业金箔制备大面积Au(111)单晶的方法。这一过程包括初始制备(100)纹理的金多晶箔,然后通过单点应力加载和在Ar/H2气氛中的应力缓解退火来演变和扩展Au(111)异常晶粒。理论模拟和实验结果表明,应力/应变和高温处理在H2气氛中诱导中间无序状态,促进从多晶Au(100)箔到单晶Au(111)箔的转变。此外,所得的Au(111)箔已被用作模型衬底,用于定向生长二维过渡金属二硫化物及其与石墨烯的异质结构。

    2025年1月28日 科研进展
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  • 二维异质结,再登Nature Nanotechnology!

    具体而言,研究者通过构建BN/单层石墨烯/BN和BN/WSe2/单层石墨烯/WSe2/BN等异质结构,成功观察到铁电滞回现象,进一步证明铁电性与库伦屏蔽效应可以在无摩尔界面的材料中实现。这一结果为扩展铁电性材料的应用领域提供了新的思路,尤其是在集成多种功能的器件设计中,放宽了材料和设计的限制。

    2025年1月24日 科研进展
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  • ACS Nano:用于电磁干扰屏蔽的结构功能集成石墨烯皮芳纶纤维

    以芳族聚酰胺聚阴离子(APA)作为粘合剂和蚀刻剂,通过浸涂策略将石墨烯自组装到芳族聚酰胺纤维表面。分子动力学(MD)模拟结果表明,APA改性芳族聚酰胺链与石墨烯的结合能(1.3 J/m2)优于芳族聚酰胺链与石墨烯的结合能(0.2 J/m2)。APA具有更高的表面能(55.2 mJ/m2),可以蚀刻纤维表面形成凹槽,从而使石墨烯能够有效吸附和自组装到纤维表面。

    2024年11月27日
    44700
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