刘春森

当前，AI 硬件中的大部分能耗都消耗在数据传输而非消耗在数据处理上。而本次研究团队彻底重构了闪存的结构，他们并没有使用传统的硅材料，而是采用了二维狄拉克石墨烯，这种材料能让电荷快速地自由移动。研究中，他们通过调整存储器通道的高斯长度，提出一种名为二维增强型热载流子注入的机制。这使得电荷能以极快速度毫无限制地流入到存储器的存储层，从而能够有效规避传统存储器所面临的速度限制。

本研究旨在比较硅基MOSFET和基于二维材料的MOSFET技术之间的差异，并探索如何解决二维材料在大规模集成电路中的应用难题。通过从通道工程、接触工程和介质工程三个角度对器件工程进行分析，研究团队致力于找到适用于二维材料的性能优化途径，并提出了相应的解决方案。这些方案不仅可以克服硅基器件在超过亚10纳米尺度时面临的限制，还为二维材料在未来先进技术节点上的应用提供了可能性。