晶体管

“中心主要围绕新一代半导体产业以及前沿新材料产业发展存在的问题，建设碳基低维半导体材料及器件创新平台，开展以石墨烯薄膜为主的碳基低维半导体材料及其相关器件的产品开发、产品封装及其技术支持、技术转化等方面的研究，着力提升自主研发能力，促进地方半导体企业掌握自主知识产权的核心技术。”江苏省碳基低维半导体材料及器件工程研究中心殷明说。

制备基于二维材料的印刷式晶体管的方法多种多样，包括溶液处理法、机械剥离法、化学气相沉积（CVD）和机械外延法。这些方法各具特点，可以根据应用需求选择合适的制备方法。例如，溶液处理法适用于大规模生产，而机械剥离法则适用于研究和实验室规模的应用。基于二维材料的印刷式晶体管不仅具有高度可控的薄膜制备优势，还具有卓越的电子性能，包括高电导率、低功耗和柔性性质。

在这项工作中，本研究展示了通过采用单层单晶化学气相沉积（CVD）石墨烯阵列制造的高灵敏度和可扩展的霍尔传感器。

据报道，新的先进 gFET 器件设计已经制造出来，整个晶圆代工流程也取得了成功。据称，gFET 芯片的电子和光谱特性以及代工制造工艺产量与 Archer 的预期一致。gFET芯片还与Archer的生物芯片系统平台兼容。

本文构建了一种基于DNA四面体纳米结构(TDN)辅助催化发夹组装(CHA)反应(TCHA)的GFET生物传感器，并将其应用于miRNA-21的灵敏和特异性检测。

复杂的制造工艺与当今半导体制造标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术兼容，利用 Graphenea 石墨烯，最终良率达到 99.9%，在测量的 2560 个器件中生产出了 2558 个器件跨越 5 个微芯片。此外，工艺的均匀性很高，器件和芯片之间的电阻变化很小。