无转移

苏州大学——北京石墨烯研究院协同创新中心由刘忠范院士和孙靖宇教授带领，致力于发展石墨烯的直接生长技术，晶圆级石墨烯制备以及先进碳材料在能源存储领域的应用。中心注重成员能力的培养与提升，并积极与国内外知名研究团队开展课题及项目合作。更多信息详见课题组网站：http://sunjingyulab.com

合理的自下而上合成石墨烯纳米带（GNRs）实现了原子上精确的宽度和边缘控制，从而产生了一系列有望用于场效应管(FET)等电子器件的电子特性。然而，由于自下而上的合成通常需要在催化金属表面进行，因此将GNR集成到这类器件中需要将其转移到绝缘衬底上，这仍然是GNR电子学发展的主要瓶颈之一。

北京大学刘忠范院士和张艳锋研究员团队通过使用射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD），在高硼硅玻璃衬底上生长了高质量的垂直取向石墨烯（VG）薄膜。

有鉴于此，为了解决这个问题，北京大学刘忠范院士，张艳锋研究员报道了采用射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD）工艺，成功在高硼硅酸盐玻璃上制备了无金属催化的N掺杂VG薄膜。

其与碳纳米管的联用将实现短程和长程导电并存以形成完善的导电网络，有利于电池在大电流充放电下性能的提升。同时，石墨烯具有较高的DBP值，便于活性材料与电解液之间进行电化学反应。

结构决定性质。如图2所示，张锦教授团队统计分析了不同结构的石墨烯材料的竖直热导率。相比于平面状的石墨烯薄膜以及石墨烯随机取向的复合材料，竖直结构的石墨烯材料具有更高的竖直热导率，表现出更优异的散热性能。其次，图中最高点（红色五角星）为PECVD法制备的竖直石墨烯的热导率，表明自下而上法在组装制备高性能石墨烯基热界面材料中更具潜力和优势。

中国科学院化学研究所的刘云圻院士与于贵、武斌、魏大程、程建毅等研究员合作完成的《石墨烯的可控生长及性能调控》（Z-103-2-02）和复旦大学彭慧胜、王永刚、任婧、孙雪梅和陈培宁等人合作完成的《碳纳米管复合纤维锂离子电池》（Z-108-2-07）获得2019年度国家自然科学奖二等奖。

2018年6月，中国科学院科技促进发展局批准依托宁波材料所，联合上海微系统与信息技术研究所、上海硅酸盐所、重庆绿色智能技术研究院、山西煤炭化学研究所、大连化学物理研究所、兰州化学物理研究所、苏州纳米技术与纳米仿生研究所、电工研究所、金属所等院内石墨烯研究优势单位共建中科院石墨烯工程实验室。

为解决这一问题，研究者将目光投向了在介电衬底表面直接生长石墨烯。“如果能在介电衬底上直接可控制备大面积、高质量的石墨烯,就可以直接利用目前的微电子技术制备器件，实现与硅技术融合，这将会极大促进石墨烯的广泛应用和长足发展。”项目组成员、中国科学院院士高鸿钧表示。