无转移
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Nature Nanotechnology:高质量单晶材料异质结生长新策略
近日,麻省理工学院Jeehwan Kim、伦斯勒理工学院石云峰、俄亥俄州立大学Jinwoo Hwang、圣路易斯华盛顿大学Sang-Hoon Bae等人发表了研究性论文,引入石墨烯纳米图案作为先进的异质整合平台,允许制备广泛类型的单晶膜材料(从非极性材料到极性材料,从窄带隙到宽带隙半导体材料),其缺陷大大减少。
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石墨烯电池是如何制造的?
电池中的石墨烯主要用作柔性电极。虽然锂离子可以储存高达180瓦时/千克的能量,但石墨烯可以储存高达1000瓦时/千克的能量。
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北大刘忠范团队《AFN》:灌木状垂直石墨烯/镍铬合金线,用于类黑体辐射加热
总之,我们展示了一种创新且简便的方法,用于增强具有直接生长 BVG 层的传统金属合金加热丝的红外辐射。由于石墨烯层独特的灌木状结构,入射的红外光可以很好地被俘获,随后发生多次内反射和强吸收。此外,BVG层与Ni-Cr基体之间的强附着力以及高温下的结构稳定性赋予了BVG/Ni-Cr加热器令人满意的变形和热稳定性。坚固的BVG涂层将为增强金属合金的红外辐射性能以进行节能辐射热管理开辟新的机会。
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特定角度的大片双层石墨烯面世,北大校友采用“预堆叠衬底”策略,推动转角二维材料的大面积可控制备
利用“预堆叠衬底-角度复制单晶生长”策略,研究团队精准制备了具备角度设计功能的厘米级双层转角石墨烯(精度<1°),为未来转角电子学规模化集成应用提供了材料定制路线。
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石墨烯促进柔性和可穿戴电子产品的发展
该团队的石墨烯片生长技术是在他们的地下室实验室进行的。一条发出粉红色的等离子体射线被用来触发甲烷和氢分子的气体,并将它们分解成更小的碎片。样品(例如2D铜线)浸泡在等离子体中,气体中的碳以厚度为一个原子的薄片沉积到表面上。包含石墨烯的最终表面看起来会更亮。
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Adv. Mater.:在硅晶圆上生长的准悬浮石墨烯
北京大学刘忠范教授、苏州大学孙靖宇、Lizhen Huang、国家纳米科学中心高腾以及中国石油大学(华东) Wen Zhao等使用界面解耦化学气相沉积策略演示了在Si晶圆上无金属催化剂的准悬浮石墨烯生长。
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石墨烯即将造就新一代 PIC
本文介绍欧洲石墨烯光电子学的发展和商品化现状,以及实现光子集成电路(PIC)中石墨烯的大规模集成所需应对的挑战。
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石墨烯,又一篇Nature Materials!
本文开发了一种有效的策略来制备厘米级的任意扭角(精度<1.0°)的TBG。精确的角度控制是通过从两个预定位的单晶Cu(111)箔的角度复制形成Cu/TBG/Cu夹心结构来实现的,然后通过特定的等电势表面刻蚀工艺从该结构中分离出TBG。通过全面的表征技术(即光学光谱、电子显微镜、光电子能谱和光电流光谱),本文清楚地证明了扭角的准确性和一致性。本文的工作为大规模二维扭曲双层的设计和制备开辟了一条途径,从而为未来扭转电子学在大规模集成的应用奠定了基础。
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北大刘忠范院士团队JACS:N掺杂石墨烯作为光热材料,将原油收集效率提高三倍
由于石墨烯和石英泡沫的多孔结构,氮掺杂垂直石墨烯石英泡沫(NVGQF)在太阳光谱(250 ~ 2500 nm)表现出高的全向吸收,吸收率高达0.96。在石墨烯晶格中掺杂石墨氮,使其红外发射率(2.5 ~ 25 μm)由0.96降低到0.68,从而使其热辐射损失减少了约31%。作者设计了NVGQF筏式原油收集系统,NVGQF筏式收集系统利用太阳诱导温度梯度构建原油粘度梯度,成功驱动原油自发流动,实现无电能收集,与未掺杂的本征垂直石墨烯石英泡沫(VGQF)相比,原油收集效率提高了3倍。
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南航《ACS AEM》:利用PECVD法在基板上合成垂直石墨烯纳米壁,作为高效EMI屏蔽材料
在这项工作中,证明了通过 PECVD 方法在基板上直接生长 VGN。这些发现为开发用于 EMI 屏蔽(包括数据通信、微电子设备和航空航天)的 VGN 及其复合材料铺平了道路。
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刘忠范院士/孙靖宇教授ACS Nano综述:直接生长石墨烯材料在电化学储能领域的应用:缘起、现状与展望
系统解耦了direct-CVD-enabled石墨烯在储能领域的多面手角色,深入揭示了其在离子存储、锂硫催化和金属负极保护三个储能体系示例中的构效关系和作用机制,并从基底选择、方法优化和器件构筑等角度对今后的重点研究方向进行了展望,最后绘制了石墨烯在绝缘衬底上直接生长的技术发展路线图。
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杜伊斯堡-埃森大学Tilmar Kümmell等–表面吸附物对(MO)CVD生长石墨烯-MOS2异质结构光电探测器光响应的作用
我们使用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在石墨烯上直接生长 MoS2,然后通过化学气相沉积 (CVD) 将 MoS2 沉积在蓝宝石晶片上,以实现石墨烯-MoS2 光电探测器。
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Nano Res.│河南大学陈珂课题组:石墨烯集成波导——性能、制备及应用
河南大学陈珂教授团队系统总结了近年来GIWGs的制备方法、性能及应用方面的研究进展。侧重强调GIWGs的制备技术及其对器件性能的影响,分别介绍了四种制备方法,即机械剥离、液相合成、化学气相沉积(chemicalvapordeposition, CVD)生长与转移以及无转移原位生长法等,揭示了各种制备技术对器件性能指标的调控规律,指出了GIWGs领域的挑战和未来发展方向。
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一种实现高质量无转移石墨烯的微流控蚀刻方法
在本研究中,研究人员利用微流体系统中的层流。他们开发了一种蚀刻方法,在结构缺陷最小的金属基板上生产具有保形形貌的连续和图案化的无转移石墨烯。此外,该团队证明,除了实现高质量的石墨烯外,这种层流辅助蚀刻工艺还与自动操作高度兼容,高重现性,减少试剂和高度可扩展性。
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灵敏的石墨烯麦克风:Sensitive Transfer-Free Wafer-Scale Graphene Microphones
通过这项工作,我们展示了一种实现与大批量制造兼容的晶圆级多层石墨烯膜的无转移方法。因此,在很大程度上规避了基于转移的石墨烯麦克风制造方法的局限性,例如聚合物污染、裂纹形成、起皱、折叠、分层和低张力再现性,为石墨烯麦克风的大批量生产迈出了重要一步.