无转移
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北大/北京石墨烯研究院刘忠范、张艳锋和北大杨槐Nano Lett.:基于石墨烯/胆甾相液晶的电驱动型热致变色调光器件的构筑及应用
该研究分别采用石墨烯/玻璃复合材料和温度响应型小分子ChLC作为透明加热板/中性光衰减材料和滤光材料,构筑了一种全新的电驱动型热致变色动态调光器件。
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年轻的石墨烯研究人员聚焦:与Roberto Pezone的问答
在石墨烯旗舰的工作包6(核心3)中,我的主要重点是将石墨烯集成到传感器中,特别是麦克风。我的主要目标是开发能够在晶圆尺度上无缝集成石墨烯的方法,同时彻底探索与这些方法相关的优缺点。除了开发制造技术外,我还对表征石墨烯在声学器件中的潜力非常感兴趣。这种类型的研究在弥合石墨烯的卓越性能与其在行业中的实际应用之间的差距,解锁更高的性能和新的传感器概念方面发挥着至关重要的作用。
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中科大/厦大JACS:第二层拓扑石墨烯纳米带中的远程触发类多米诺环脱氢
石墨烯纳米带(GNRs)表面合成中的环脱氢反应通常涉及一系列Csp2–Csp2和/或Csp2-Csp3偶联,并且仅发生在未覆盖的金属或金属氧化物表面。在缺乏必要的催化位点的情况下延长第二层GNR的生长仍然是一个巨大的挑战。
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英国石墨烯设备制造商Paragraf收购圣地亚哥的Cardea Bio
“加入Paragraf使我们能够使用世界上唯一大规模生产,无转移的单层石墨烯来制造Cardea团队在过去十年中开发的最先进的基于石墨烯的生物传感器。我们期待释放强大的协同效应,以推动石墨烯生物传感器的广泛和不断增长的使用,以造福人类和地球,“Heltzen说。
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第二十七、二十八讲“墨园学堂”共话新型显示技术
3月17日,“墨园学堂”第二十七讲、第二十八讲围绕显示产业上下游共通的技术问题,邀请到京东方显示与传感研究院MLED封装科科长王明星、北京大学物理学院特聘副研究员刘放,分别从产业和技术研发的角度,阐述Micro LED显示技术的科技前沿、市场需求及面临的挑战,展现石墨烯材料如何通过需求牵引参与下游产应用的过程。
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卷对卷CVD石墨烯聚合物复合材料的突破
我们的CVD石墨烯生产和转移系统都已配置为支持在PMMA、EVA、PI等各种聚合物上开发大面积卷对卷CVD石墨烯薄膜。General Graphene在CVD石墨烯的卷对卷合成和转移方面的进步代表了前所未有的突破,并为以大容量和低成本开发CVD石墨烯聚合物复合材料铺平了道路。为了提供一些背景,在与传感器应用兼容的聚合物上使用CVD石墨烯的单位成本从几美元增加到一小部分美元——代表了CVD石墨烯聚合物复合材料商业化的范式转变。
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CMU团队研发新型热界面材料,纸般轻薄厚度不到40微米,为高能量器件散热问题提供解决思路
为进一步提高传热效果并解决铜线易氧化的问题,其使用等离子体来加强化学沉积技术,从而在铜纳米线表面合成一层厚厚的三维石墨烯结构。这层石墨烯层的包裹不仅将热传导性能提升了 50%,整体热导率高达 97W/m·K,也确保了铜不会被空气氧化。
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陕西科大《Carbon》:石英衬底工艺上制备石墨烯叉指电极膜,用于高性能钙钛矿基光电探测器
综上所述,本文设计了由液态油相和固相碳源组成的ONCS,用于在石英衬底上直接生长石墨烯膜。图案化的ONCS薄膜的煅烧可以直接在石英衬底上图案化石墨烯薄膜。此外,石墨烯叉指电极在获得高性能钙钛矿基光电探测器方面具有巨大的潜力,取代了商用金叉指电极。
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最新成果|代尔夫特理工大学V. Giagka团队:采用无转移工艺的多层CVD石墨烯电极,用于下一代光学透明和MRI兼容的神经接口
作者采用了一种无转移的方法在钼(Mo)催化剂上生长石墨烯,以制造神经电极。这种方法可以在不涉及任何转移的情况下制备多层石墨烯电极。对电极的阻抗、电荷存储容量(CSC)和CIC进行了评估,并与相同尺寸和几何形状的Pt和Au电极进行了比较。
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北京大学刘忠范院士团队综述:气相助剂辅助石墨烯生长
本文综述气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯制备的方法:首先对绝缘衬底上石墨烯的生长行为进行分析;随后着重介绍几类常见的气相助剂辅助石墨烯生长的策略和机理;最后,总结绝缘衬底上制备高品质石墨烯存在的挑战,并对未来的发展方向进行展望。
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苏州大学孙靖宇课题组AS:纳米晶石墨烯皮肤助力稳定的锌金属负极
本工作报道了一种通过化学气相沉积技术在锌箔上直接生长的石墨烯皮肤。这种超薄(20 nm厚度)的“马赛克”状纳米晶烯肤具有较高的电导率,从而保证锌在其上表面沿(002)面取向沉积;同时,生长过程中原位掺入的氮/氧原子有利于锌离子的去溶剂化,加速反应动力学。
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刘忠范/孙靖宇AFM:12英寸石墨烯薄膜的无转移批量制备
该制备策略的关键在于构建纳米尺度的限域空间,限域空间内气体形成分子流的流场状态,有助于实现石墨烯薄膜的大面积均匀性。同时,限域空间的构建能够束缚住石英衬底在高温下自身释放的羟基物种。理论计算表明,羟基有助于降低碳源分解的能垒、有利于碳原子在石墨烯边缘拼接,从而促进石墨烯的生长。由此制备的石墨烯具有优异的光学透过率和电学性质。本研究为无转移石墨烯薄膜的批量制备提供了可行方案。
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石墨烯薄膜制造机研发及产业化项目:5年迈向全球顶尖|深创赛国际赛“优质项目”风采
而全自动石墨烯薄膜制造机采用了种变性的墨烯超材料的制备方法(无转移液相沉积法),能大规模、大面积制造石墨烯超材料,该方法可以对微纳结构实现缝隙包裹涂覆,最大限度实现微纳结构的功能性。
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北京工业大学《ACS AMI》:在300 °C下无转移CVD生长高质量晶圆级石墨烯,用于大规模制造器件
为了保证碳自由基在低温下有足够的活性,作者设计了一个多区热CVD系统,并根据计算流体动力学(CFD)模型对每个加热区的温度进行了合理的校准。作为决定石墨烯薄膜质量的关键因素,研究了腔体压力和氢气流量。