光电器件
-
ACS Applied Materials & Interfaces | 南方科技大学：石墨烯接触界面工程实现VP/MoS₂异质结构高性能多光谱光电探测
本研究通过引入石墨烯接触界面工程，成功构建了高性能 Gr/VP/MoS₂ 范德华异质结构光电探测。得益于石墨烯电极对界面势垒与载流子输运的有效调控，器件实现了从紫外到近红外的多光谱光探，并表现高响应度、优异的外量子效率以及良好的稳定性。同时，该工作揭示了二维各向异性材料异质结构中界面耦合与载流子输运机制
-
我国学者研发光纤集成非线性相位匹配光学晶体
研究团队创新采用光纤端面范德华晶体集成技术，研制出全光纤锁模倍频激光器—通过在光纤端面精确堆垛多层菱方氮化硼（rBN）晶体，利用界面转角调控几何相位，建立了适用于线偏振光激发的多层转角相位匹配机制。团队进一步利用光纤集成石墨烯/菱方氮化硼异质结复合器件，实现了全光纤激光器锁模脉冲与倍频信号的同步输出。
-
ATE：具有双曲材料发射器的混合极化子驱动的石墨烯 – 锑化铟热载流子近场热光伏
研究的核心在于构建并系统分析一个完整的光电耦合系统：该系统以支持双曲声子极化子的六方氮化硼作为基础发射材料，通过与石墨烯层的不同空间构型组合形成具有可调谐光学响应的复合热发射器；并将此发射器与一个利用石墨烯-窄带隙半导体肖特基结进行载流子提取的热光伏电池，通过一个纳米尺度的真空间隙进行近场辐射耦合。
-
超宽带太赫兹波束操控新突破：石墨烯驱动可编程透射超表面亮相
电子科技大学研究团队在《Laser & Photonics Reviews》上发表了一项重要成果：全球首个基于石墨烯的可编程透射超表面，实现了太赫兹频段超宽带、宽角度波束扫描与独立增益控制。该研究通过引入石墨烯-绝缘体-石墨烯异质结构替代传统离子凝胶门控，结合双谐振单元设计与镜像对称操作模式，成功解决了石墨烯在太赫兹调制中效率低、稳定性差、均匀性不足三大难题。
-
京蓝微纳申请基于图案化GaN和石墨烯异质结超表面调制器专利，实现显著相位调制
本发明涉及太赫兹波调制器技术领域，尤其涉及一种基于图案化GaN和石墨烯异质结超表面调制器及制作方法，以突破现有石墨烯基调制器的性能瓶颈，提供一种不仅能实现深度幅度调制，还能实现显著相位调制的多维太赫兹波调制器；提供一种能同时响应光、电等多种外部激励，并实现多种调制模式集成的多功能太赫兹调制器件。
-
告别重金属！全碳基“碳点+石墨烯”打造皮肤友好型柔性光探测器
与传统依赖铅、镉等有毒重金属的量子点不同，该研究通过水热法合成了环境友好的碳点，并通过优化合成参数使其吸收光谱延伸至近红外区域。这种“碳点吸光+石墨烯传输”的架构成功实现了从紫外（UV）到近红外（NIR）波段（400-800 nm）的宽频响应，解决了传统二维材料光吸收弱以及传统量子点生物毒性高的问题。
-
Nature Nanotechnology | 石墨烯光栅，让太赫兹激光跨越“禁区”！
原本3.3 THz的基频信号被“上转换”为约10 THz的辐射，恰好落入了GaAs的“禁区”。令人惊讶的是，即使在这种强吸收背景下，系统依然能够输出约450 nW的10 THz相干光，虽然功率不高，但足以证明概念可行。石墨烯之所以能完成这一“奇迹”，源于它独特的光学特性。
-
自成像理论与氧化石墨烯涂层协同增强光学传感器灵敏度 | MDPI Sensors
这项工作不仅为无创血糖监测提供了一种有前景的新技术路径，也为用于检测其他生物分子 (如激素、癌症标志物等) 的高灵敏度光学传感器提供了宝贵的借鉴。未来，研究团队可能会朝着多功能化、集成化和智能化的方向继续探索，推动这项技术从实验室走向现实应用。
-
单栅极电光光束切换超表面
研究人员通过遗传算法的结构优化方法设计了单栅极电光光束切换的石墨烯超表面，并通过该结构实现了光束切换的实验验证及综合分析。通过栅极电压的调整，可实现不同衍射光束切换，并在衍射级上表现出宽偏转角、高相对效率以及均匀的绝对效率等特点，为有源光束切换超表面的设计提供了新思路。
-
东南大学张彤教授AFM：基于Bi2Te3/石墨烯异质结与光热机制及Au天线协同增强的超宽带、自供能、高灵敏度光电探测器
该工作成功制备了一种基于拓扑异质结Au-Bi₂Te₃-石墨烯的自供能探测器，实现了从可见光到毫米波段的超宽带光电探测。研究证明，通过多机制的协同增强可显著提升探测性能。
-
宁波石墨烯创新中心申请一种直立石墨烯光电探测器及其制备方法专利，封装壳体内压强不大于20Pa
专利摘要显示，本发明提供了一种直立石墨烯光电探测器及其制备方法，包括封装壳体和直立石墨烯异质结，所述直立石墨烯异质结装设在所述封装壳体内，所述封装壳体内的压强不大于20Pa。
-
北京大学 Adv. Mater. ：基于化学气相沉积石墨烯与范德华混合介质的高速电光调制器
作为界面层的Sb2O3分子晶体不仅能促使Al2O3介质均匀生长，更与石墨烯形成范德华界面，可显著减少界面散射中心（如悬挂键），从而保持石墨烯的电子特性——平均载流子迁移率（𝜇）达10880 cm²·V⁻¹·s⁻¹，残余载流子浓度（n*）为1.35×10¹¹ cm⁻²。
-
石墨烯芯片，打破 AI 互连瓶颈
在埃因霍温举行的 2025 年欧洲光子集成电路峰会 (PIC Summit Europe 2025) 上，他阐述了公司如何利用石墨烯的独特特性，将光子学直接融入半导体生产。“我们称之为一种新型芯片，”他说道，“因为现在，你的 CMOS 芯片可以同时使用两种语言：电子学和光子学。”
-
BGF2025 | 石墨烯传感与器件分论坛：洞见技术前沿，链接产业资源
作为BGF的重要组成部分，石墨烯传感与器件分论坛围绕石墨烯在传感器与光电子器件的最新研究进展，邀请国内外知名学者与行业领袖展开专项研讨。现将嘉宾报告的核心内容摘录如下，以飨读者。
-
2025, Nature Communations——范德华外延助力：β-Ga₂O₃ 在金刚石上高质量生长
研究通过调控石墨烯与不同晶向氧表面密度间的不匹配关系及其对氧分压的依赖，实现了可调控的 VdW-β-Ga₂O₃ 外延生长。石墨烯层有效缓解了界面热膨胀应力，使 β-Ga₂O₃/金刚石界面表现出极低的热边界电阻（thermal boundary resistance, TBR）仅 2.82 m²·K/GW。所制备的光电探测器展现出 光暗电流比达 10⁶、响应度达 210 A/W 的优异性能，验证了该策略的可行性与技术意义。
