纳米带

研究发现：Zn掺杂的ZnPor–3ZGNR具有高度分散的导带和价带电子结构，其载流子有效质量低，展现出极高的载流子迁移潜力；2HPor–3ZGNR能够自发捕获金衬底表面的Au原子，形成金属化单元，引发局部电荷掺杂，从而与未金属化单元之间形成显著的电子态差异，并在纳米带内部构建出P–N异质结；掺杂磁性金属Fe的FePor–3ZGNR中，Fe的d轨道与纳米带的π电子态发生强烈杂化，实现了相邻铁单元间的长程自旋超交换耦合。

近日，西班牙CSIC-UPV/EHU材料物理中心Ignacio Piquero-Zulaica、Martina Corso、Aran Garcia-Lekue合成了一种新型的二维碳同素异形体，其具有周期性间隔联苯链段的功能性NPG。

研究巧妙地设计前驱体分子BMDP，利用其Wurtz Coupling 以及脱氢环化反应，在Au(111)表面上成功将5/7/5非苯结构单元嵌入到石墨烯纳米带中。

作者详细归纳了几种典型的表面合成途径：一是通过精心设计芳香前体分子、选择特定取代位点和官能团，利用Ullmann偶联结合脱氢环化反应，实现含四元环、五元环、八元环等GNRs结构的精准构筑；二是通过 [2+2] 环加成反应直接形成四元环片段；三是通过链间熔合反应实现更宽更多元的非六元环GNRs结构；四是通过热诱导骨架重排反应获得传统反应无法合成的新颖杂元环结构。

该研究展示了高压拓扑化学反应在原子级精准掺杂与能带工程中的强大潜力，为可规模化制备结构特定、性质可控的碳基纳米材料提供了一条全新途径。

本工作报告了一种基于半导体石墨烯纳米带/氧化铝/单晶硅的新型p-i-n异质结型自驱动短波红外光电探测芯片。在异质界面所触发的的光门控效应和内置电场的共同作用下，芯片展示了零偏压下的超高响应和探测性能。该光电探测芯片在自驱动模式时响应率高达75.3 A/W，检测率为 7.5×1014 Jones，外量子效率接近104%，将同类型硅基芯片的检测性能提高了创纪录的7个数量级。此外，在常规驱动模式下，芯片的响应率、检测率、外量子效率同样高达843 A/W、1015 Jones和105%，均为目前所报道的最高值。同时，我们还展示了该光电探测芯片在光通信和红外成像领域的真实场景应用，体现了巨大的应用潜力。

“这个项目从2021年就开始了，前后花了差不多4年时间。”王浩敏介绍，“锯齿型石墨烯纳米带是由纯碳做成的一条非常窄的条带，理论预测它可能会有特殊的磁性，但之前一直没人能在实验中真正‘看到’并且确认这种磁性，尤其是在室温下，这就是我们想去挑战的目标。”

本研究通过原位封装材料体系和创新的器件设计，实现了兼具高性能晶体管功能和一维强关联量子系统的石墨烯纳米带器件。这一成果不仅验证了石墨烯纳米带可用于构建高性能电子器件，还为研究一维量子输运和关联物理提供了理想材料体系。未来，通过进一步优化封装技术和接触界面，有望在量子计算和低功耗电子器件中发挥更大潜力。

GNR-LC分子的合成路线采用自下而上的合成策略，从苯环衍生物小分子出发，经过铃木-宫浦交叉偶联反应、钯催化的环化二聚反应、肖尔氧化环脱氢等一系列反应，最终构建出带有十二个长烷氧基链的扶手椅型GNR液晶分子。

AH通过超氢化作用（Superhydrogenation）局部破坏PPP链苯基的π芳香性，形成类自由基中间体，促进碳-碳耦合；同时，AH使PPP链间距缩短（从10.3 Å降至5.8 Å），为横向融合创造有利条件。

“校友讲坛”学术报告会在12教109会议室同步举行。学院邀请到了杨在君、王德辉、廖天驰、杜利杰4位优秀校友做客“校友讲坛”，为师生带来精彩的学术报告。报告会上，4位校友分别探讨了“丹参雄性不育机制与花色调控的分子基础研究、微观固-液界面调控及应用、基于小样本训练的卷积稀疏编码张量补全模型、石墨烯纳米带制备和性能表征”等课题，并向同学们讲述了自己的成长经历和科研心得。