外延缓冲
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西安电子科技大学科研团队取得重要技术突破： 用“钻石”给氧化镓“降温”让电子器件更高效更耐用
这个设计不仅解决了生长问题，还带来了惊人的散热效果。“石墨烯”层就像一个“润滑剂”，释放了界面热应力，让热量高效传递。“石墨烯层就像润滑剂，释放了界面热应力，让热量高效传递。
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ACS Nano:大规模外延Fe3GaTe2/石墨烯范德华异质结构中室温铁磁性
实验中，研究人员首先在半绝缘4H-SiC(00.1)衬底上通过SiC表面石墨化方法生长外延石墨烯。然后，在超高真空（UHV）条件下，使用MBE技术在石墨烯/SiC(00.1)模板上生长高质量大面积的Fe3GaTe2薄膜。
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2025, Nature Communations——范德华外延助力：β-Ga₂O₃ 在金刚石上高质量生长
研究通过调控石墨烯与不同晶向氧表面密度间的不匹配关系及其对氧分压的依赖，实现了可调控的 VdW-β-Ga₂O₃ 外延生长。石墨烯层有效缓解了界面热膨胀应力，使 β-Ga₂O₃/金刚石界面表现出极低的热边界电阻（thermal boundary resistance, TBR）仅 2.82 m²·K/GW。所制备的光电探测器展现出 光暗电流比达 10⁶、响应度达 210 A/W 的优异性能，验证了该策略的可行性与技术意义。
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外延生长，Nature！
传统理论认为，由于原子级分辨的波动电势在几个原子距离后就会迅速衰减至可忽略值，远程外延中远程相互作用主导外延过程的距离应小于1纳米。本研究突破这一认知局限，首次实现在2-7纳米层间距条件下的远程外延。
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中科院半导体所魏同波研究员，苏州大学孙靖宇教授 Adv.Sci:制造和无裂纹转移晶圆级氮化镓
研究团队通过在Si(100)衬底上直接生长的石墨烯（Gr）界面层，实现了近乎单晶的GaN膜的生长。通过简单的化学蚀刻，可以将GaN膜从Si衬底上剥离并转移到任意衬底上，具有最小的损伤和晶圆级剥离能力。这种技术不仅保持了GaN膜的高质量，还实现了柔性光电子器件的制备，如柔性LED和紫外光电探测器（UV PD）。
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用“钻石”给氧化镓“降温”，让电子器件更耐用
团队最终引入“石墨烯”作为中间缓冲层——它就像一位出色的“翻译官”，缓解了两种材料之间的“沟通障碍”，屏蔽了多晶衬底的粗糙影响，使得氧化镓薄膜能够平整又高质量地生长在多晶金刚石上。团队还通过一种叫“氧-晶格协同调控”的技术，简单说就是精细控制氧气和原子排列，实现了高质量氧化镓薄膜的稳定外延。这下，材料不再“乱长”，热应力也大幅降低。
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石墨烯/Si（100）衬底上准范德华外延GaN及光电器件集成研究
本课题研究了介质衬底上高质量多层石墨烯和h-BN的生长工艺，获得石墨烯单晶畴大于300 nm。
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GaN 晶圆直接 CVD 生长免转移石墨烯
该项目首次研究非催化直接在二吋晶圆 GaN LED 材料上制备了器件阵列，实现均匀发光，重复性比转移石墨烯器件有根本性提高，且实现了散热降温功能，石墨烯生长温度仅有 600 摄氏度，氮化镓外延结构无损，并可以回避转移。在 GaN 外延片上直接生长石墨烯并将其用作 LED 的透明电极，此新技术与标准半导体工艺兼容，属于国际首创和领先水平。
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南京大学/南京航空航天大学ACS AMI：CVD在石墨烯上实现取向可控的单层MoSe2范德华外延生长！！
本文系统研究了以石墨烯/蓝宝石为衬底，通过MOCVD技术生长单层MoSe₂的范德华外延行为。研究发现：石墨烯有效屏蔽了蓝宝石衬底的表面粗糙度和台阶束影响；MoSe₂畴区在石墨烯上呈现高度取向的等边三角形（仅0°和60°两种取向）；生长参数（温度、压力、前驱体流量）可大范围调控畴区尺寸、成核密度及生长速率；界面摩擦力测量证实MoSe₂/石墨烯间存在超润滑弱相互作用（~11.76 nN）。
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科学家造出10纳米超薄“电子皮肤”，未来夜视仪将轻装上阵
他们首创的一种称为“远程外延”的方法——一种在单晶基底上生长半导体材料，并在其间放置一层超薄石墨烯的技术。基底的晶体结构充当支架，新材料可以沿着其生长。石墨烯起到类似特氟龙的不粘层的作用，使研究人员可以轻松剥离新薄膜并将其转移到柔性和堆叠的电子设备上。剥离新薄膜后，底层基底可以重复使用，用于制作其他薄膜。
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Nature Electronics: 石墨烯晶圆的无损转移与器件集成
研究团队利用Cu(111)/石墨烯作为外延模板，基于晶格匹配实现了高质量单晶Sb₂O₃栅介质层的外延生长，并利用石墨烯作为缓冲层，通过较弱的范德华作用力，实现外延层与外延衬底的解耦，确保Sb₂O₃层无损剥离。另一方面，外延制备的Sb₂O₃能够与石墨烯形成良好的范德华接触，进而作为转移辅助介质，辅助石墨烯剥离转移。基于此，研究团队实现了4英寸石墨烯晶圆向目标衬底（Si/SiO₂衬底）的无损转移。
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台湾成功大学Adv. Mater.: 石墨烯上外延生长的铁电六方氮化硼！！
本文通过层状外延生长方法成功实现了在石墨烯上的铁电h-BN薄膜。这种生长方法不仅克服了2D铁电材料的可扩展性、稳定性和局部可切换性等挑战，还为未来具有非易失性和可重构功能的2D设备提供了一个有前景的平台。研究结果表明，h-BN薄膜在石墨烯上的外延生长不仅实现了铁电性，还展示了在实际铁电器件中的应用潜力。
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研究人员开发出超高分辨率微型 LED 显示器
他们的研究描述了一种远程外延生长技术，该技术利用石墨烯中间层在4平方厘米的面积上生成连续结晶的过氧化物薄膜。这种方法有效地消除了晶界，实现了纯面外晶体取向。
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宁波石墨烯创新中心有限公司石墨烯基氮化镓外延项目洁净室及洁净室安装项目结果公告
标段(包)[001]石墨烯基氮化镓外延项目洁净室及洁净室安装：中标人：信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司，中标价格：895.1338万元
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我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料
具体来看，团队首先以锗基石墨烯晶圆作为预沉积衬底生长单晶金属铝，利用石墨烯与单晶金属铝之间较弱的范德华作用力，实现4英寸单晶金属铝晶圆无损剥离，剥离后单晶金属铝表面呈现无缺陷的原子级平整。随后，在极低的氧气氛围下，氧原子逐层嵌入单晶金属铝表面的晶格中，最终得到稳定、化学计量比准确、原子级厚度均匀的氧化铝薄膜晶圆。
