科研进展

薄膜主要是单层石墨烯，具有少量层的区域的小百分比（小于5%），并且连续穿过铜表面台阶和晶界。碳在铜中的低溶解度似乎有助于使这一生长过程具有自限性。他们还开发了石墨烯薄膜转移到任意衬底的工艺，在Si/SiO2衬底上制造的双门控场效应晶体管在室温下显示出高达4050 cm2/(V·s)的电子迁移率。

“Microsystems & Nanoengineering 青年学术沙龙”是2017年由Microsystems & Nanoengineering发起的年度学术交流和评选活动，旨在表彰和发现全球范围内活跃在科学与前沿领域并做出突出贡献的青年科学家。范绪阁教授受邀参会并做题为“基于双原子层石墨烯悬浮质量块的NEMS加速度传感器”的学术报告。

在研究中，团队在毫米晶畴石墨烯表面外延生长了25 nm厚的Ni-CAT-1，并进一步通过磁控溅射技术修饰了Pd纳米颗粒，最终获得了具有石墨烯、MOF、Pd三层结构的氢敏材料（Epi-MOF-Pd）。Epi-MOF-Pd不仅能够高灵敏（155%电阻变化）、快响应（12秒）地检测氢气，还具备优异的专一性、稳定性与柔性。

正是为了避免这种宝贵的能量损失，研究小组在等离子体周围建造了一个法拉第笼，这是一个充当电磁屏蔽的金属网，类似于微波炉用来将系统与外界隔绝的屏蔽罩。这样一来，根据研究结果，以前每分钟和每瓦特能产生 4.3 毫克石墨烯，而使用这种新的屏蔽装置，能最大限度地利用等离子体的能量，在相同的时间和功率下，能产生 5.2 毫克石墨烯。

石墨烯的独特性质使其在电子、光电子和能源存储等领域具有广泛的应用潜力，但高昂的生产成本和技术瓶颈阻碍了其大规模商业化。因此，开发与现有制造工艺兼容的生产流程至关重要，这不仅可以降低成本，还能提高生产效率。此外，建立统一的行业标准和高通量表征技术对于确保产品质量和性能一致性也是必要的。这将有助于推动石墨烯及其衍生物的产业化进程，使其更快地应用于实际产品中，满足市场需求。

这项研究发现了一种控制基于石墨烯的场效应晶体管中高次谐波产生的新方法。研究小组研究了晶格温度、电子掺杂以及全光超快调谐六方氮化硼封装石墨烯光电器件中三次谐波产生的影响。

由于具有出色的导电性，石墨烯在标准版 UVC LED 中起到了电流分布层的作用，而在倒装芯片版中，石墨烯则在铝镜和半导体之间形成了平衡接触。在这两种设计中，石墨烯都能显著提高 LED 的效率。

对其工作机理的研究表明，电场强度在中央导体附近最高，在悬浮石墨烯梁的两侧逐渐减弱。在 “关断 “状态下，电流向下流经横梁的介电层，从而确保开关的稳定运行。

在这项研究中，为了克服传统电中性方法的局限性，团队运用固定电势法评估了氮掺石墨烯负载的金属单原子催化剂（M1/N-graphene, M1 = Mo、W、Fe、Re、Ni、Co、V、Cr）在NRR中的电催化性能。