科研进展

近日，山东大学集成电路学院张翼飞教授团队联合南方科技大学教授宋爱民、齐鲁空天信息大学副教授凌昊天等，在太赫兹可调控超表面异质集成技术方面取得新进展。研究人员首次在太赫兹低损耗的液晶聚合物柔性薄膜上实现了石墨烯转移和电性能调控，并成功用于新型太赫兹超表面的大范围动态调控。

新加坡国立大学吕炯教授介绍了其团队在表面合成与原子精度表征方面的最新进展，重点介绍了通过拓扑受挫与电子–电子相互作用协同设计高纠缠多自由基纳米石墨烯的通用路线。西班牙国家纳米材料与纳米技术研究中心Dimas G. de Oteyza 教授以其团队在金属配位调控石墨烯纳米带电子结构方面的前沿成果为核心，深入阐述了低维碳基材料在能带调控与拓扑相转变领域的最新进展，着重介绍了手性石墨烯纳米带在几何构型与电子结构上的独特可调性，并展示了通过功能基团修饰实现能隙连续变化的研究思路。

新型设备以纳米多孔还原氧化石墨烯（rGO）为基础，这种石墨烯衍生物具有独特的多孔结构。电极被包裹在聚酰亚胺与氧化铝（Al₂O₃）的混合涂层中，既保证了柔韧性，又具备卓越的抗湿性、抗电化学应力及抗反复机械弯曲能力。在经历类生理体液长期浸泡、十亿次电脉冲刺激及数百次弯折循环后，植入物仍保持稳定性能，未检测到任何退化迹象。

这项研究通过精准调控石墨烯取向、控制微量添加量，并结合真空热压与冷轧的协同作用，既利用石墨烯的结构优势强化了铜基材料的力学性能，又通过优化界面结合与晶体取向，最大限度保留了铜的高导电性，成功打破了传统铜基材料的性能权衡。其成果为高性能铜基复合材料的工业化制备提供了可行路径，有望满足下一代电子设备、电力传输等领域对材料的严苛需求，为多功能金属基复合材料的设计提供了重要参考。

研究团队通过制备不同沟道宽度的石墨烯霍尔器件，并旋涂掺杂剂精确调控载流子类型和密度。测量结果发现石墨烯霍尔器件中的载流子密度随沟道宽度变化呈现规律性差异：在电子掺杂条件下，载流子密度随沟道宽度增加而降低；而在空穴掺杂条件下则相反。这一现象在沟道宽度≤400 μm时尤为明显，直接影响了器件进入量子化霍尔平台所需的磁场阈值。

佛罗里达大学Piran R. Kidambi报道了一种分层PEM，包括单层CVD石墨烯，通过Ar等离子体引入埃级质子选择性孔，与超薄≈300 nm聚苯并咪唑（PBI）层集成，夹在两个Nafion 211（25µm厚）层之间。

该研究展示了高压拓扑化学反应在原子级精准掺杂与能带工程中的强大潜力，为可规模化制备结构特定、性质可控的碳基纳米材料提供了一条全新途径。

本文开发的原位自加热CVD策略为高质量、厚层涡旋石墨烯的制备提供了一种可扩展、普适且高效的方法。该策略通过结合扭转和倾斜配置工程，显著提高了石墨烯的质量和生长效率，同时展现出优异的环境可持续性和成本效益。这一成果不仅克服了传统CVD在厚层石墨烯制备中的局限性，还为石墨烯基宏观材料的实际应用提供了重要的技术基础。

研究采用梯度热还原法实现大规模生产高质量、高性价比的还原氧化石墨烯（RGO）。随后将RGO与碳纳米管（CNTs）和炭黑（Super-P）结合，形成适用于磷酸铁锂（LFP）基锂离子电池（LIBs）的三元导电添加剂体系。

研究提出一种轻质磁性氧化石墨烯（MGO）双层薄膜，其内嵌硬磁性微粒，可在磁驱动下实现快速、精准且稳定的形态转变，甚至适用于水环境。

文章从技术原理与反应装置设计出发，深入探讨了不同碳源的选择与预处理策略，重点总结了该技术在闪速石墨烯、碳纳米管、石墨烯纤维及硬碳等关键材料制备中的最新成果。

研究提出一种无溶剂层压工艺，通过激光辅助剥离、堆叠及聚乙烯醇（PVA）热压粘合技术，将基底附着型LIG转化为厚度可调的悬浮薄膜。

该工作首次揭示了魔角石墨烯中级联转变与关联陈数绝缘体的联系，这一工作为魔角石墨烯中广受关注的拓扑重费米理论模型提供了实验证据，加深了对于这一体系的理解和认识。

该传感器将薄硅膜上的压力敏感石墨烯谐振器与厚硅膜上的温度补偿石墨烯谐振器共同封装于真空阳极键合腔体内，通过计算两者共振频率差值消除温度依赖性。真空封装与SiO₂边缘沉积共同抑制环境扰动，确保频率基准稳定性。