科研进展

本研究首次展示了以石墨烯为冷源的IGZO CSFET 8×8阵列器件的亚60 mV dec⁻¹超陡开关特性。采用高介电常数HfO₂作为栅极介质，在室温下，0.5 V电源电压下，石墨烯/IGZO CSFET的亚阈值摆幅(SS)降低了23.66 mV dec⁻¹。HfO₂介质优异的栅极效率和更低的体因子进一步降低了CSFET的SS值。此外，统计验证表明，8 × 8 IGZO/HfO₂ CSFET阵列的平均SS为46.4 mV dec⁻¹，证实了大规模集成超低功耗CSFET器件的可行性。我们的研究成果有望为大规模超低功耗电路及其应用奠定基础。

本工作通过将3D打印的设计灵活性和生产适应性与激光加工的精度和效率相结合，回顾并进一步系统地研究了3D打印的防冰和除冰方法。它提供了一种经济的除冰方法，潜在的应用领域包括航空航天(例如，飞机机翼)、能源(例如，风力涡轮机叶片和输电线)和基础设施(例如，桥梁)。

研究通过电纺丝和后续无电镀工艺，制备出纳米级超薄铜包覆石墨烯同轴纳米纤维织物（GNF@tCu），旨在协同发挥碳基材料与金属的互补优势。这种由核壳纳米纤维组成的织物具有出色的柔韧性、低密度（0.53 g/cm3）和高导电性（3 × 104 S/m）。

近日，山东大学集成电路学院张翼飞教授团队联合南方科技大学教授宋爱民、齐鲁空天信息大学副教授凌昊天等，在太赫兹可调控超表面异质集成技术方面取得新进展。研究人员首次在太赫兹低损耗的液晶聚合物柔性薄膜上实现了石墨烯转移和电性能调控，并成功用于新型太赫兹超表面的大范围动态调控。

新加坡国立大学吕炯教授介绍了其团队在表面合成与原子精度表征方面的最新进展，重点介绍了通过拓扑受挫与电子–电子相互作用协同设计高纠缠多自由基纳米石墨烯的通用路线。西班牙国家纳米材料与纳米技术研究中心Dimas G. de Oteyza 教授以其团队在金属配位调控石墨烯纳米带电子结构方面的前沿成果为核心，深入阐述了低维碳基材料在能带调控与拓扑相转变领域的最新进展，着重介绍了手性石墨烯纳米带在几何构型与电子结构上的独特可调性，并展示了通过功能基团修饰实现能隙连续变化的研究思路。

新型设备以纳米多孔还原氧化石墨烯（rGO）为基础，这种石墨烯衍生物具有独特的多孔结构。电极被包裹在聚酰亚胺与氧化铝（Al₂O₃）的混合涂层中，既保证了柔韧性，又具备卓越的抗湿性、抗电化学应力及抗反复机械弯曲能力。在经历类生理体液长期浸泡、十亿次电脉冲刺激及数百次弯折循环后，植入物仍保持稳定性能，未检测到任何退化迹象。

这项研究通过精准调控石墨烯取向、控制微量添加量，并结合真空热压与冷轧的协同作用，既利用石墨烯的结构优势强化了铜基材料的力学性能，又通过优化界面结合与晶体取向，最大限度保留了铜的高导电性，成功打破了传统铜基材料的性能权衡。其成果为高性能铜基复合材料的工业化制备提供了可行路径，有望满足下一代电子设备、电力传输等领域对材料的严苛需求，为多功能金属基复合材料的设计提供了重要参考。

研究团队通过制备不同沟道宽度的石墨烯霍尔器件，并旋涂掺杂剂精确调控载流子类型和密度。测量结果发现石墨烯霍尔器件中的载流子密度随沟道宽度变化呈现规律性差异：在电子掺杂条件下，载流子密度随沟道宽度增加而降低；而在空穴掺杂条件下则相反。这一现象在沟道宽度≤400 μm时尤为明显，直接影响了器件进入量子化霍尔平台所需的磁场阈值。

佛罗里达大学Piran R. Kidambi报道了一种分层PEM，包括单层CVD石墨烯，通过Ar等离子体引入埃级质子选择性孔，与超薄≈300 nm聚苯并咪唑（PBI）层集成，夹在两个Nafion 211（25µm厚）层之间。