科研进展

本研究利用从碳化聚丙烯腈（PAN）中提取的高纯度碳纤维作为原料，实现了合成氧化石墨烯（GO）纳米片的可扩展和可持续生产。通过在优化的酸性条件下采用电化学剥离工艺，该方法成功生成了高质量的单层氧化石墨烯（GO）纳米片，尺寸≈600 nm，其特性与市售的氧化石墨烯相当，厚度为 0.9 ± 0.2 nm。

本实验首次通过构建石墨烯/CrSBr 异质结，实现了具有高度各向异性传播特性的表面等离子体激元（SPPs），揭示了二维范德华材料中电荷转移诱导的光学各向异性效应。

本文通过层状外延生长方法成功实现了在石墨烯上的铁电h-BN薄膜。这种生长方法不仅克服了2D铁电材料的可扩展性、稳定性和局部可切换性等挑战，还为未来具有非易失性和可重构功能的2D设备提供了一个有前景的平台。研究结果表明，h-BN薄膜在石墨烯上的外延生长不仅实现了铁电性，还展示了在实际铁电器件中的应用潜力。

本文的研究提供了光与磁之间相互作用的见解，展示了2D邻近耦合异质结在光自旋电子学中的潜力。

研究提出了基于聚二甲基硅氧烷（PDMS）粘合多孔激光诱导石墨烯（LIG）的可拉伸、疏冰和快速加热焦耳加热器。在LIG框架中加入准固体PDMS可协同降低表面自由能、增加表面粗糙度并提高优异的拉伸性。因此，LIG/PDMS 具有拉伸憎水性，在 100% 拉伸应变下接触角高达152°，同时还具有奇特的疏冰性，冰粘附强度超低，仅为6.7kPa。

本研究提出了一种数据驱动方法，通过结合相图计算与机器学习技术，实现对G-M体系相形成规律的预测。首先利用CALPHAD方法计算34个G-M体系二元相图，建立热力学数据库，分析其相平衡与相变行为。随后利用决策树算法，以相图数据与碳化物形成焓（ΔH）为数据集，训练预测模型，并泛化至额外13种G-M体系的相形成规律。

在石墨烯下方预沉积金属薄膜并通过硫化/硒化处理，形成取向一致的TMD晶核。石墨烯的移除后，晶核合并为单晶薄膜。这一过程利用石墨烯的范德瓦尔斯相互作用和晶格导向作用，实现了跨衬底的晶体一致性，克服了传统外延对衬底晶格匹配的依赖。

该工作提出了一种基于铁电掺杂石墨烯的新型片上光学忆阻器。通过铁电薄膜聚偏氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)对集成在氮化硅（SiN）波导上的石墨烯进行电学栅控。在移除最初施加在铁电层上的电压脉冲后，铁电薄膜与石墨烯的界面处会保留较大的剩余极化，从而对石墨烯形成静电掺杂，使其保持一定的载流子密度和非易失性调控的折射率。因此，混合石墨烯-SiN波导的传输损耗和相位延迟的调制状态得以保持，实现了光振幅和相位忆阻器的功能。

上海交通大学和香港城市大学团队采用 LPBF 方法制备了新型 Al-9.5Ce-0.6Mg/0.7GNPs复合材料。随后，对制备的 Al-9.5Ce-0.6Mg/0.7GNPs 复合材料进行了后续热处理。对微观组织进行了细致表征。此外，系统研究了在 3.5 wt. % NaCl 溶液中的力学性能和腐蚀行为。此外，基于多尺度表征揭示了强化和腐蚀机理。

该研究提出了一种新颖的电化学原位掺杂与自组装相结合的策略，用于制备由Ni单原子锚定的石墨烯膜（Ni-SA-G），旨在通过结合电催化和纳米通道筛分效应来促进Li+-溶剂络合物的解离动力学。

本文提出了将ZIF-67整合到壳聚糖和还原氧化石墨烯(GO)双网络体系中，合成一种新型水凝胶珠(rGO@ZIF-67@CS)。该水凝胶设计用于在单溶质和双溶质体系中高效去除四环素(TC)和诺氟沙星(NOR)。