科研进展

研究提出一种双模式热管理材料——即Janus混合功能热管理材料（J-HFTMM）以应对这一挑战。该材料将堆叠中空玻璃微球（HHGM）构成的辐射冷却层与飞秒激光诱导石墨烯（FLIG）构成的电热加热层相结合。

该传感器的核心突破在于利用扭角工程精确操控二维材料——扭转双层石墨石墨烯（tBLG）的能带结构。通过将两层石墨烯以特定角度（9.4°）旋转堆叠，形成摩尔超晶格结构，研究人员成功激发了范霍夫奇点（VHS）现象，在1.84 eV能量处产生显著的光吸收增强峰。

研究团队通过在Si(100)衬底上直接生长的石墨烯（Gr）界面层，实现了近乎单晶的GaN膜的生长。通过简单的化学蚀刻，可以将GaN膜从Si衬底上剥离并转移到任意衬底上，具有最小的损伤和晶圆级剥离能力。这种技术不仅保持了GaN膜的高质量，还实现了柔性光电子器件的制备，如柔性LED和紫外光电探测器（UV PD）。

该材料以微米级铜粉为基体，表面通过原位生长法包覆少层石墨烯，核心指标明确：少层石墨烯的 D 峰与 G 峰强度比（ID/IG）小于 0.1，确保石墨烯低缺陷性，避免氧分子、水分子通过缺陷渗透；材料中碳含量控制在 0.3wt.% 至 1.0wt.% 之间，碳含量过高或过低会导致石墨烯层数异常或出现无定型碳，反而降低氧化性能。

研究提出双面激光照射工艺，通过交替照射PEDOT:PSS/凯夫拉纳米纤维复合薄膜两面，制备出悬空式LIG。该方法最大限度减少了烧蚀现象，同时最大化石墨烯电极的有效表面积，从而提升柔性超级电容器的面电容及电容保持率。

本研究提出并实现了一种基于电双层（EDL）静电排斥机制的新型范德华（vdW）材料转移方法。该方法无需蚀刻，具有高通量、快速、晶圆级、低成本和高普适性的特点，适用于多种二维材料（如MoS₂、WSe₂、hBN、石墨烯、CNT等）及其生长基底（如SiO₂、蓝宝石、铜、SrTiO₃等）。通过将材料浸入32%氨水中，利用材料表面与基底间形成的EDL排斥力，实现温和、均匀、快速的剥离。该方法显著减少了传统转移过程中的裂纹、褶皱、聚合物残留和金属离子污染问题，实现了100%转移良率和原子级洁净界面。

本研究不仅阐明了影响GQDs激光发射的关键因素，而且提出了一种制备高增益GQDs的新方法。此外，我们提出了一种有效、低成本、易于操作和低毒性的方法来构建固态单纵模近红外激光器件，从而促进小型化激光器件的实际应用。

本研究通过对空气取水的最小能耗进行分析，并结合市场在售产品的实际性能表现与市场参与度进行对比，进一步提出了热泵技术耦合冷凝、吸附空气取水平台以及客户技术定位的思路，为空气取水技术从概念验证阶段迈向市场化应用提供了参考。

本研究通过开发空间均匀焦耳加热（SHJH）策略，成功实现了混合聚烯废塑料向高纯氢气和石墨烯的高效转化，其核心突破在于借助毫秒级可控热场与生物质碳基催化剂协同作用，通过羰基介导的C–H键活化机制显著降低反应能垒，从而达成近理论值的氢产率（70.0 mmol·g⁻¹）与超高能量效率（14,700 mmol H₂·kWh⁻¹）；基于该过程生成的少层涡轮层石墨烯结构规整、缺陷密度低（I_D/I_G ≈ 0.12），展现出优异的热稳定性和应用潜力。