Angew:石墨烯共价修饰层增强Si电极光电化学CO2还原

苏州大学彭扬等报道通过导电石墨烯层修饰的策略构筑硅光电阴极,催化剂修饰在n+-p Si后,再覆盖修饰导电石墨烯。共价键修饰的石墨烯层能够增强光电极和催化剂之间的光生载流子转移,改善电极的稳定性。

Angew:石墨烯共价修饰层增强Si电极光电化学CO2还原

目前人们发现硅半导体修饰分子催化剂能够作为光电化学还原CO2的阴极,但是这种复合催化剂仍面临着非常有限的动力学和材料稳定性。

有鉴于此,苏州大学彭扬报道通过导电石墨烯层修饰的策略构筑硅光电阴极,催化剂修饰在n+-p Si后,再覆盖修饰导电石墨烯。共价键修饰的石墨烯层能够增强光电极和催化剂之间的光生载流子转移,改善电极的稳定性

主要内容

(1)通过煅烧处理调节电极四苯基卟啉钴的堆叠方式,能够进一步增强电子转移效率和光电催化活。石墨烯层可以作为Si的保护层,作为修饰分子催化剂的基底。

(2)在-0.1 V vs RHE和1个太阳能照射16 h的稳定光电流达到1.65 mA cm-2比其他修饰分子催化剂的CO2电化学还原光电极相比,得到显著进步

Angew:石墨烯共价修饰层增强Si电极光电化学CO2还原

参考文献

Zhihe Wei, Yanhui Su, Weiyi Pan, Junxia Shen, Ronglei Fan, Wenjun Yang, Zhao Deng, Mingrong Shen, Yang Peng, Covalently Grafting Graphene onto Si Photocathode to Expedite Aqueous Photoelectrochemical CO2 Reduction, Angew. Chem. Int. Ed. 2023

DOI: 10.1002/anie.202305558

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202305558

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