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MICs性能受限的主要原因是正负极之间电化学反应动力学不匹配，需开发电压平台安全、比容量大、倍率性能好、稳定性好的负极材料；另外微型MICs器件的制备和组装技术相对复杂，需要更为简便的技术路线来满足实际需求。

魅族18X搭载骁龙870处理器，采用LPDDR4X+UFS3.1存储规格，性能方面不需要担心。最高拥有12+256GB存储组合，最高支持7GB的内存融合技术，让多应用同开变得轻而易举。内置贯穿式铜管+石墨烯散热层组成的多重辅助散热系统，在高负荷场景下也能轻松冷静地应对。骁龙870+LPDDR4X是很多准旗舰的标配，魅族这样做也在情理之中。

散热方面，nova 9 Pro还支持360度环绕式液冷散热架构，采用双VC液冷散热器+超高导热石墨烯散热片的散热方案，AI智能动态调整，玩游戏等负载中可以快速散热。

有鉴于此，近日，日本NTT基础研究实验室Wang Shengnan等展示了具有高纯度莫尔相的六方氮化硼(hBN)/石墨烯双层的一锅化学气相沉积生长。石墨烯在氢封端hBN模板下的外延插层导致聚合层间角小于0.5°。与大于0.5°的角度相比，接近0°堆叠角度的可能性几乎高出2个数量级。由于受到顶部hBN层的保护，与单层石墨烯相比，双层石墨烯的载流子迁移率显著增强。本文的研究工作提出了一种具有高均匀性和可控层间旋转的hBN/石墨烯双层的大面积制备方法，有望推动高质量vdW异质结的生产发展。

结构稳定性是石墨烯气凝胶的一个普遍问题。氧化石墨烯（GO）通过高锰酸钾（KMnO4）的氧化在表面提供官能团。利用半胱胺蒸气法成功地交联了石墨烯气凝胶的内部结构。交联石墨烯/半胱胺气凝胶（GCA）的强度足以降低相变材料（PCM）渗透过程中的体积收缩。

由于块状 AB 堆叠石墨烯的强层间相互作用降低了单层石墨烯的优越性能，因此需要形成随机堆叠的石墨烯，以将石墨烯的高性能应用于宏观器件。然而，获得块状石墨烯的常规方法具有低结晶度和/或形成热力学稳定的 AB 堆叠结构的问题。

综上所述，本研究表明以CaCl2为掺杂源，通过水热法制备了Ca2+-T/G复合材料。为了提高电导率，将Ca2+掺杂到TiO2中，合成纺锤体状Ca2+-T纳米颗粒。最终合成的2%Ca2+-T/G复合材料的电阻率最低(0.004Ω cm)，远低于未掺杂样品(0.046Ω cm)。实验和计算模拟结果表明：Ca2+-T/G复合材料的电阻率下降可能是由于Ca2+掺杂导致的载流子浓度增加、界面电荷转移加快和纺锤形的协同作用。因此，与未掺杂样品相比，电导率可以进一步提高。从而为提高T/G复合材料的导电性提供了新的思路，具有优异导电性的Ca2+-T/G复合材料可以在未来的导电涂料领域得到充分的应用。