中国材料研究学会

飞行量子比特是在高迁移率石墨烯单层的量子霍尔边缘通道中传播的准粒子Leviton。尽管对于飞行量子比特的可行操纵，仍然需要单次量子比特读出和两个量子比特操作，但在单电子水平上，对巡游电子态的相干操纵，为传统量子比特提供了一种非常有前途的替代方案。

在更苛刻的环境条件（与聚合物不相容）时（例如在高达600℃的温度时），在有机溶剂中和在超高真空中，无聚合物载体用以制造异质结构。所得到的异质结构，具有没有层间污染的高质量界面，并且表现出较强的电子和光电行为。基于该项技术，在超高真空中组装了转角石墨烯异质结构，与传统转移技术相比，莫尔超晶格的均匀性提高了十倍。

报道了在封装的石墨烯纳米带中，超窄约瑟夫森结表现出了手性超电流，可见高达8T，并自旋简并边缘通道是电阻h/2e2≈12.9kΩ的量子霍尔QH平台。

研究表明，在单层石墨烯中，获得了具有左偏态、短尾尺寸分布的高密度纳米孔，并显示了离子和分子的超快和埃米级尺寸可调的选择性传输，打破了传统的对数正态尺寸分布限制。该项方法，独立控制生成纳米孔的几项参数指标，包括密度、平均直径、标准偏差和尺寸分布的偏度值，这将产生纳米技术的下一次飞跃。

该项研究发现，彰显了特殊堆叠的多层石墨烯器件的高效制造，并表明晶体多层石墨烯是一种理想平台，用以研究由库仑相互作用驱动的大范围对称破缺。

在纳米尺度水平上，这种局部能带结构和应变的解析能力，有助于在实际范德瓦尔斯器件中，表征和应用可调能带工程。

该项研究，在石墨烯中，填充1/3的分数量子霍尔FQH态和填充1的整数量子霍尔态之间产生了称为量子点接触quantum point contact约束。基于量子点接触的电导，表现出了手性Luttinger液体的标度律特征。

这种磁滞现象表明，铁磁谷电子序与复合场E·B（其中B是磁场）耦合，但不与单个场耦合。调谐电场E，将独立地翻转每个铁性序，并且一起实现其非易失翻转。还展示了一种以前未知类型的多铁性材料，并指出了电可调的超低功率谷电子和磁性器件。

该项研究，确立了菱形堆叠多层石墨烯，有望用于探索天然石墨材料中的缠绕电子关联和拓扑现象，而不需要莫尔超晶格工程。

在转角为1.24°和1.37°样品中，分别在价带和导带内，栅调相图的小口袋small pockets中发现了超导电性。超导电性出现在范霍夫奇点附近的非极化相，以及同位旋对称破缺的区域附近。研究表明，在双层转角石墨烯TDBG中，高态密度和超导电性出现之间的关联，同时揭示了同位旋涨落在配对中的可能作用。

该项研究，揭示了受堆垛拓扑结构保护的移动拓扑畴壁TDW，为通过原子插层控制堆垛结构奠定了理论基础。这为实现插层驱动的范德华vDW电子器件，开辟了新的途径。

利用扫描隧道显微镜表征演示了一种非侵入式光谱技术，并实验测量了石墨烯部分填充的第零朗道能级中，电子波函数的谷极化及其激发谱。还提取了诸如霍尔丹赝势Haldane pseudopotentials强度之类信息，这些信息表征了分数量子态下的排斥相互作用。

研究发现，莫尔势改变了整个块体石墨薄膜的电子性质。在零磁场和小磁场中，传输是的组合介导的，即由栅极可调谐莫尔和石墨表面态以及不响应门控的共存半金属体状态。在高场下，由于石墨两个最低朗道带的独特性质，莫尔势与石墨体态混合。这些朗道带，促进了单一准二维混合结构的形成，其中莫尔和块体石墨状态不可避免地混合在一起。研究结果表明，转角石墨烯-石墨是一类新的混合维莫尔材料中的第一种。