中国材料研究学会

在魔角扭曲三层石墨烯中，首次直接观测到“双穹顶超导”现象。该材料通过调控电场，可在两个不同的电子填充区域分别实现超导，中间区域超导被抑制。实验表明，两个超导穹顶在临界温度、临界磁场和电流-电压特性上存在显著差异，右穹顶甚至表现出明显的电流-电压回滞现象。

通过工业上友好的制造方法，生产了具有由多域结构控制的气体扩散路径的褶皱GO膜。这些膜材料，实现了约2.1×10^4Barrer的H2渗透率，显著超过了低于100Barrer的平片状GO膜的渗透率。H2/CO2选择性91优于当前的膜技术。此外，在苛刻条件（−20°C，96%相对湿度）下，折皱膜表现出了稳定性，这是实际应用的关键要求。

报道开发了一种氧化石墨烯graphene oxide (GO)@In-Bi合金复合材料，具有柔韧性、防漏性能和高效的界面传热。

研究发现，在实现大面积石墨烯的均匀氧化中，氧化剂的质量传递起着至关重要的作用。石墨烯转移过程中的裂纹形成，也限制了再现性，使用不需要精细浮动和处理石墨烯的方案，消除了裂纹形成，从而在交叉流模块中，实现了高性能50-cm2石墨烯膜。

这导致CO2与孔的高度竞争，但定量可逆的结合。从含有20vol%CO2物流中，获得了CO2/N2分离因子（平均为53）和CO2渗透率（平均为10,420）有吸引力的组合。稀释（~1vol%）CO2流的分离系数超过1,000，使膜材料有望从不同的点排放源中捕获碳。

该项研究，演示了一种准平衡退火方法，在宏观原子级平台上产生半导体外延石墨烯SEG（即有序缓冲层）。半导体外延石墨烯SEG晶格与SiC衬底对准。并呈现较好的化学、力学和热学性能，并且可以使用传统的半导体制造技术，将其图案化并无缝连接到半金属表层石墨烯epigraphene上。这些基本特性使半导体外延石墨烯semiconducting epigraphene，SEG适用于纳米电子学。