世源希达申请含氧空位的铜锰尖晶石/石墨烯复合膜电极及其制备方法和应用专利,优化界面电子传输

利用石墨烯高导电、高分散及本征PMS活化性能,搭建稳定膜电极基底;通过Cu‑Mn双金属可逆氧化还原循环高效活化PMS;通过人为构筑氧空位缺陷,优化界面电子传输、强化PMS吸附活化、调控反应路径偏向高选择性非自由基降解;再耦合外加电场实现PMS电活化、污染物富集与催化位点再生。

国家知识产权局信息显示,北京世源希达工程技术有限公司申请一项名为“一种含氧空位的铜锰尖晶石/石墨烯复合膜电极及其制备方法和应用”的专利,公开号CN123002967A,申请日期为2026年9月。

专利摘要显示,本发明提供了一种含氧空位的铜锰尖晶石/石墨烯复合膜电极及其制备方法和应用,本发明创新地构建石墨烯本征活化、Cu‑Mn双金属协同、氧空位缺陷调控、电场辅助强化的电活化过硫酸盐复合催化体系。利用石墨烯高导电、高分散及本征PMS活化性能,搭建稳定膜电极基底;通过Cu‑Mn双金属可逆氧化还原循环高效活化PMS;通过人为构筑氧空位缺陷,优化界面电子传输、强化PMS吸附活化、调控反应路径偏向高选择性非自由基降解;再耦合外加电场实现PMS电活化、污染物富集与催化位点再生。

天眼查资料显示,北京世源希达工程技术有限公司,成立于1992年,位于北京市,是一家以从事建筑安装业为主的企业。企业注册资本6510万人民币。通过天眼查大数据分析,北京世源希达工程技术有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目10621次,专利信息65条,此外企业还拥有行政许可22个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

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