烯玺科技申请多层石墨烯膜晶格缺陷修复方法专利,修复多层石墨烯膜的晶格缺陷

S1、将用CVD法生长的多层石墨烯放入管式炉,通入氩氢混合气,气压保持1‑10Torr,升温至300‑600℃;S2、打开等离子源,功率50‑200W,保持1‑10分钟;S3、关闭等离子源,在相同气氛和压力下,升温至800‑1000℃;S4、通入碳源气体,保温30‑300分钟;S5、关闭碳源气体,在氩氢混合气氛围下,气压保持1‑10Torr,降温至室温,取出样品;S6、将样品放入石墨电阻辐射加热炉;S7、炉中通入氩氢混合气,气压保持1‑10Torr;S8、将炉体温度升高至2500‑3000℃后,保温60‑300分钟;S9、在氩氢混合气中,保持原有气压,缓慢降温至室温,取出样品。

国家知识产权局信息显示,烯玺科技(常熟)有限公司申请一项名为“一种多层石墨烯膜的晶格缺陷修复方法”的专利,公开号CN122957829A,申请日期为2025年4月。

专利摘要显示,本发明公开了一种多层石墨烯膜的晶格缺陷修复方法,包括以下步骤:S1、将用CVD法生长的多层石墨烯放入管式炉,通入氩氢混合气,气压保持1‑10Torr,升温至300‑600℃;S2、打开等离子源,功率50‑200W,保持1‑10分钟;S3、关闭等离子源,在相同气氛和压力下,升温至800‑1000℃;S4、通入碳源气体,保温30‑300分钟;S5、关闭碳源气体,在氩氢混合气氛围下,气压保持1‑10Torr,降温至室温,取出样品;S6、将样品放入石墨电阻辐射加热炉;S7、炉中通入氩氢混合气,气压保持1‑10Torr;S8、将炉体温度升高至2500‑3000℃后,保温60‑300分钟;S9、在氩氢混合气中,保持原有气压,缓慢降温至室温,取出样品。

天眼查资料显示,烯玺科技(常熟)有限公司,成立于2025年,位于苏州市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析,烯玺科技(常熟)有限公司拥有行政许可2个。

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