周星工程申请形成石墨烯膜方法专利,可形成膜质量致密的石墨烯膜

本公开示例性实施例提供了一种在腔室内在基板上形成石墨烯膜的方法,该方法包括将含硅气体供应到基板上、将含碳气体供应到基板上并形成氩等离子体,以及在基板上形成氩等离子体。因此,根据本公开示例性实施例,可以通过沉积方法容易地形成石墨烯膜。也就是说,可以容易地形成含结晶碳膜。此外,可以形成碳含量较高的石墨烯膜,并可以形成杂质含量较低的石墨烯膜。此外,可以形成膜质量致密的石墨烯膜。

国家知识产权局信息显示,周星工程股份有限公司申请一项名为“形成石墨烯膜的方法”的专利,公开号CN121548659A,申请日期为2024年6月。

专利摘要显示,本公开示例性实施例提供了一种在腔室内在基板上形成石墨烯膜的方法,该方法包括将含硅气体供应到基板上、将含碳气体供应到基板上并形成氩等离子体,以及在基板上形成氩等离子体。因此,根据本公开示例性实施例,可以通过沉积方法容易地形成石墨烯膜。也就是说,可以容易地形成含结晶碳膜。此外,可以形成碳含量较高的石墨烯膜,并可以形成杂质含量较低的石墨烯膜。此外,可以形成膜质量致密的石墨烯膜。

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