醋酸铜辅助CVD制备高质量多层石墨烯-铜复合材料,实现高各向同性导热

该方法兼容标准粉末冶金工艺,具备规模化生产潜力,所制备的高性能石墨烯 – 铜复合材料可广泛应用于紧凑换热器、反应堆内件及电子封装等热管理部件。这项研究不仅突破了传统工艺的技术瓶颈,还建立了一套高效的复合材料制备框架,为电子、能源等领域的热管理技术升级提供了重要支撑。

近日,昆明理工大学陶静梅团队与陈小丰团队合作,通过醋酸铜辅助化学气相沉积(CVD)结合粉末冶金的方法,解决了传统工艺中石墨烯 – 铜复合材料石墨烯分散不均、界面结合弱、导热各向异性显著及热导率增强效率低的问题,成功在铜粉上原位生长高质量多层石墨烯并制备高性能复合材料。相关成果以“Copper acetate-assisted CVD coupled with powder metallurgy for high-quality multilayer graphene-copper composites with enhanced isotropic thermal conductivity”为题发表于《Carbon》期刊。

背景介绍

随着电子设备向小型化、高功率化发展,高效热管理成为先进电子和能源加工行业的关键挑战,亟需兼具优异热导率和结构完整性的复合材料。石墨烯因面内热导率可达 4840-5300 Wm⁻¹K⁻¹,是铜基复合材料的理想增强相,但此前相关研究存在诸多瓶颈:石墨烯与铜密度差异大、界面润湿性差(接触角约 140°)导致分散不均,铜催化石墨烯生长的自限性难以获得超过 15 层的高质量多层石墨烯,高温下铜粉易烧结团聚,使得复合材料热导率增强效率大多低于 20%,部分甚至低于纯铜(~402 Wm⁻¹K⁻¹),且导热各向异性显著,严重限制了实际应用。

文章亮点

为突破上述瓶颈,研究团队开发了醋酸铜辅助 CVD 技术,将醋酸铜与铜粉按最优质量比 0.75:10 混合,在 1020℃下通过气 – 固双碳源(醋酸铜提供固体碳源,甲烷为气体碳源)实现高质量多层石墨烯(HQMG,超过 15 层)的原位生长。

醋酸铜的分步分解不仅产生无定形碳屏障抑制了铜粉烧结,其衍生的瞬时铜蒸气还能催化碳前驱体活化与缺陷修复,有效克服了石墨烯生长的自限性。最终制备的复合材料表现出优异性能:面内热导率达~498 Wm⁻¹K⁻¹,面外热导率达~466 Wm⁻¹K⁻¹,分别比纯铜提升 23.7% 和 15.8%,导热各向异性比为 0.94,接近完全各向同性;热导率增强效率达~28%/ 石墨烯体积分数,是目前石墨烯 – 铜复合材料中的高水平;同时保持了~96.5% IACS 的高电导率。界面表征显示,原位生长使石墨烯与铜形成牢固结合,火花等离子体烧结(SPS)过程中实现了多层石墨烯的有效焊接,形成连续导热通道,界面热阻约为 2.8×10⁻⁹ m²K/W,与理论计算值高度吻合。

图文解析

醋酸铜辅助CVD制备高质量多层石墨烯-铜复合材料,实现高各向同性导热

图 1 (a)所用原始大颗粒铜粉的扫描电子显微镜(SEM)及宏观形貌照片(左下角插图);(b)所用乙酸铜 [Cu (OAc)₂] 的实物照片;(c)乙酸铜与大颗粒铜粉的均匀混合物实物照片;(d)乙酸铜辅助常压化学气相沉积(CVD)法制备 HQMG – 铜复合粉末的示意图;(e)化学气相沉积法合成的 HQMG – 铜复合粉末的实物照片及结构模型;(f)经放电等离子体烧结(SPS)制备的直径约 20 mm 的 HQMG – 铜复合块体材料。

醋酸铜辅助CVD制备高质量多层石墨烯-铜复合材料,实现高各向同性导热

图 5 乙酸铜辅助化学气相沉积(CVD)法在铜粉表面合成高品质多层石墨烯(HQMG)的生长机理示意图:(a)乙酸铜颗粒吸附于铜粉表面的示意图;(b)通入甲烷前,乙酸铜分解并在铜粉表面生成吸附态碳的示意图;(c)乙酸铜辅助下多层石墨烯的成核过程示意图;(d)化学气相沉积过程中多层石墨烯晶核的生长与团聚过程示意图;(e)铜粉被高品质多层石墨烯完全包覆的示意图;(f)高品质多层石墨烯成核的扫描电子显微镜(SEM)观测图;(g)高品质多层石墨烯畴区的拉曼光谱图;(h)高品质多层石墨烯畴区边缘的高分辨透射电子显微镜(TEM)照片

醋酸铜辅助CVD制备高质量多层石墨烯-铜复合材料,实现高各向同性导热

图 7 (a)本研究制备的石墨烯 – 铜复合材料(红色)与已有石墨烯(或石墨)- 铜复合材料相关研究的面内、面外热导率对比图;(b)本研究中面内热导率提升效率随石墨烯含量的变化关系,及与其他代表性报道的对比图。

醋酸铜辅助CVD制备高质量多层石墨烯-铜复合材料,实现高各向同性导热

图 11 乙酸铜辅助化学气相沉积(CVD)结合放电等离子体烧结(SPS)法制备的石墨烯 – 铜复合材料,其结构特征与热导率的关联图。

总结展望

该方法兼容标准粉末冶金工艺,具备规模化生产潜力,所制备的高性能石墨烯 – 铜复合材料可广泛应用于紧凑换热器、反应堆内件及电子封装等热管理部件。这项研究不仅突破了传统工艺的技术瓶颈,还建立了一套高效的复合材料制备框架,为电子、能源等领域的热管理技术升级提供了重要支撑。

文献信息

Guoqing Li, Jingmei Tao, Xiaofeng Chen, Yichun Liu, Caiju Li, Jianhong Yi, Copper acetate-assisted CVD coupled with powder metallurgy for high-quality multilayer graphene-copper composites with enhanced isotropic thermal conductivity, Carbon, 2025, 121176, ISSN 0008-6223

https://doi.org/10.1016/j.carbon.2025.121176.

本文来自先进铜基材料,本文观点不代表石墨烯网立场,转载请联系原作者。

(0)
石墨烯网石墨烯网
上一篇 2025年12月25日 17:28
下一篇 2025年12月25日

相关推荐

发表回复

登录后才能评论
客服

电话:134 0537 7819
邮箱:87760537@qq.com

返回顶部