Paragraf公司亨廷顿工厂首片6英寸石墨烯晶圆问世

6英寸石墨烯晶圆 图片来源：Paragraf

该成果标志着石墨烯技术向商业应用规模化迈出重要一步。

该晶圆采用Paragraf专有工艺制成的石墨烯场效应晶体管（GFET），该工艺可将石墨烯直接生长于硅衬底上。此技术被认为是首次采用直接生长法在硅基底上实现该尺寸GFET的成功案例，标志着可扩展石墨烯电子学领域的重大突破。

此前，Paragraf采用无污染、无转移技术在2英寸蓝宝石晶圆上制造GFET。传统方法常需从生长基板转移石墨烯，该过程易引入金属杂质。通过直接在硅基材上生长石墨烯，Paragraf旨在保持材料纯度与器件完整性，同时提升与主流半导体制造工艺的兼容性。

从2英寸晶圆向6英寸晶圆的升级，预计将提升生产吞吐量、增强均匀性，并更紧密地契合现有制造标准。结合硅基底的应用，此举将加速公司基于石墨烯的电子与传感设备研发进程。

联合创始人兼首席执行官西蒙·托马斯表示：”亨廷顿工厂产出的首片6英寸晶圆是Paragraf的里程碑时刻。“这既证明了我们石墨烯生长技术的成熟度，也彰显了我们在行业相关基底上实现规模化生产的能力，同时保持了技术方案所需的无污染优势——这是众多应用场景和客户的核心需求。”

亨廷顿基地是Paragraf长期战略的关键环节，旨在推动石墨烯电子技术从实验室创新向商业化量产转型。