原子薄2D材料中的埃级质子选择性孔为推进质子交换膜(PEMs)提供了全新机遇。用于电网规模储能的钒氧化还原液流电池(VRFB)需要具有高面积质子传导率(>1 S cm−2)和最小钒离子(VO2+)交叉的质子交换膜。然而,Nafion 212膜(N212≈50µm厚)存在持续的VO2+交叉,降低了性能和效率。近日,佛罗里达大学Piran R. Kidambi报道了一种分层PEM,包括单层CVD石墨烯,通过Ar等离子体引入埃级质子选择性孔,与超薄≈300 nm聚苯并咪唑(PBI)层集成,夹在两个Nafion 211(25µm厚)层之间。
本文要点:
1) 分层结构通过减少缺陷来促进可扩展的膜合成,同时石墨烯层的加工和简单堆叠允许随机非选择性缺陷隔离,从而实现极低的VO2+交叉,质子导率>8 S cm−2。基于电阻输运模型支持的系统输运实验阐明了缺陷尺寸、缺陷隔离和密封以及分层/堆叠的作用,以实现几个数量级(>671×N212)的提高,以及面积质子电导率>8 S cm−2。
2) 该工作强调了二维材料中原子级质子选择性缺陷工程的潜力,以及材料的简单堆叠和分层,作为可扩展、高性能PEMs在VRFB之外的能源、电化学和分离应用中的发展策略。

参考文献:
Pavan Chaturvedi et.al Proton Selective Nanoporous Atomically Thin Graphene Membranes for Vanadium Redox Flow Batteries Adv. Mater. 2025
DOI: 10.1002/adma.202510609
https://doi.org/10.1002/adma.202510609
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