北京大学刘忠范院士,北京石墨烯研究院亓月,清华大学邓兵助理教授 JACS:原位自加热化学气相沉积策略制备厚层涡旋石墨烯

本文开发的原位自加热CVD策略为高质量、厚层涡旋石墨烯的制备提供了一种可扩展、普适且高效的方法。该策略通过结合扭转和倾斜配置工程,显著提高了石墨烯的质量和生长效率,同时展现出优异的环境可持续性和成本效益。这一成果不仅克服了传统CVD在厚层石墨烯制备中的局限性,还为石墨烯基宏观材料的实际应用提供了重要的技术基础。

清华大学焦丽颖教授等人发表了题为Isolation of Monolayer Metastable MoS2 with Trimerized Molybdenum Atoms的工作于JACS期刊上。

本文开发了一种原位自加热化学气相沉积(CVD)策略,用于高质量、厚层涡旋石墨烯(turbostratic graphene)的制备。通过结合扭转(twist)和倾斜(tilt)配置工程,实现了对厚层石墨烯中层间结构的同步控制。快速热处理通过抑制AB堆叠的形成,稳定了涡旋扭转堆叠,实现了高达92%的涡旋比率。局部自加热抑制了气相反应和非晶碳的形成,同时电学“热点”效应促进了石墨烯层中的选择性缺陷修复,从而实现了高平面内层间对齐。该策略实现了低缺陷密度(<10¹⁰ cm⁻²)和快速生长速率(>100层/小时),展现出优异的可扩展性和普适性。生命周期评估(LCA)和技术经济分析(TEA)表明,该策略在环境可持续性和成本效益方面优于传统CVD。

背景

化学气相沉积(CVD)是石墨烯合成的常用方法,因其在质量、成本和可扩展性之间的平衡而备受关注。然而,传统CVD在非催化、非金属基底上生长石墨烯时存在诸多挑战,包括缺乏催化活性、堆叠配置控制不足以及生长速率低等问题,尤其是在厚层石墨烯的制备中。厚层石墨烯因其在机械强度、电流和热通量处理能力方面的优势而备受关注,但在厚层制备过程中,层间配置(包括扭转配置和倾斜配置)需要精确控制。扭转配置指的是石墨烯层绕晶格z轴的相对旋转,而倾斜配置描述了绕晶格x/y轴的旋转。AB堆叠的石墨烯虽然热力学稳定,但其强层间耦合会降低石墨烯的单层特性,如高载流子迁移率和线性色散特性。因此,抑制AB堆叠的形成对于保留厚层石墨烯的单层特性至关重要。此外,传统CVD系统中长时间的热处理会导致涡旋堆叠向AB堆叠的转变,这在厚层生长中尤为常见,限制了涡旋石墨烯的制备。

主要内容

本文提出了一种原位自加热CVD策略,通过直接对样品施加电流实现局部自加热,从而驱动生长过程。该策略适用于多种样品结构,包括纤维、织物、毡和板等。以玻璃纤维织物(GFF)为模型基底,展示了在非催化、结构复杂的表面上直接生长石墨烯的可行性。该策略实现了超快速热循环(约2分钟完成加热或冷却至约1200°C),并且即使在厚层生长中也能实现快速石墨烯生长(约15分钟内生长约27层)。此外,该策略通过快速热处理抑制了石墨烯向AB堆叠的转变,同时局部加热重塑了CVD反应环境,抑制了气相反应和非晶碳的形成,同时电学“热点”效应促进了石墨烯层中的选择性缺陷修复。最终,实现了高质量、厚层涡旋石墨烯的制备,缺陷密度低至约0.9×10¹⁰ cm⁻²,生长速率超过100层/小时,这在传统CVD中难以实现。此外,该策略展现出优异的可扩展性,通过反应室扩容和电极组装设计实现了大规模生产。生命周期评估(LCA)和技术经济分析(TEA)表明,该策略在环境可持续性和成本效益方面优于传统CVD,为石墨烯基宏观材料的生产提供了一个可扩展和可持续的平台。

实验细节概括

实验中,开发了一种原位自加热CVD系统,通过将样品直接连接到外部电源,利用电流通过样品产生的焦耳热来实现局部加热。该系统由石英管反应器、电极、生长基底和电源组成。在生长过程中,样品通过电流加热至目标温度后,引入碳源进行石墨烯生长。以玻璃纤维织物(GFF)为模型基底,展示了在非催化、结构复杂的表面上直接生长石墨烯的可行性。在自加热CVD过程中,首先在较低温度下在基底上预沉积一层薄碳层,以赋予其初始电导率,以便后续的自加热过程。随后,将预沉积碳层的GFF(10 cm×3 cm)集成到自加热CVD系统中进行石墨烯生长。

创新点

  1. 原位自加热CVD策略:通过直接对样品施加电流实现局部加热,显著缩短了加热和冷却时间,提高了石墨烯生长效率。
  2. 结合扭转和倾斜配置工程:通过快速热处理稳定了涡旋扭转堆叠,同时通过局部加热抑制了倾斜配置,实现了高质量厚层石墨烯的制备。
  3. 低缺陷密度和高生长速率:实现了低缺陷密度(<10¹⁰ cm⁻²)和快速生长速率(>100层/小时),这在传统CVD中难以实现。
  4. 优异的可扩展性和普适性:通过反应室扩容和电极组装设计,实现了大规模生产,适用于多种基底结构。
  5. 环境可持续性和成本效益:生命周期评估和技术经济分析表明,该策略在环境可持续性和成本效益方面优于传统CVD。

北京大学刘忠范院士,北京石墨烯研究院亓月,清华大学邓兵助理教授 JACS:原位自加热化学气相沉积策略制备厚层涡旋石墨烯

图1. 石墨烯生长的离位全腔加热CVD系统与原位自加热CVD系统:a,b)全腔加热(a)和自加热(b)系统示意图;c)两种系统的升降温过程对比;d)自加热CVD系统构型;e)用作石墨烯生长基底的玻璃纤维织物(10cm×3cm)实物图;f)不同功率密度下自加热基底的温度曲线(插图为升温和冷却过程的放大视图);g)自加热状态下(约1200°C)石墨烯玻璃纤维织物(GGFF)(10cm×3cm)的实物照片(上)与红外图像(下);h)GGFF中心轴(图g底部红色虚线)在不同位置在升温(黄色虚线框)、恒温(红色虚线框)和冷却(蓝色虚线框)阶段的温度分布。

结论

本文开发的原位自加热CVD策略为高质量、厚层涡旋石墨烯的制备提供了一种可扩展、普适且高效的方法。该策略通过结合扭转和倾斜配置工程,显著提高了石墨烯的质量和生长效率,同时展现出优异的环境可持续性和成本效益。这一成果不仅克服了传统CVD在厚层石墨烯制备中的局限性,还为石墨烯基宏观材料的实际应用提供了重要的技术基础。

文献:https://doi.org/10.1021/jacs.5c14909

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