宁波大学《ChemistrySelect》:由聚丙烯腈掺杂石墨氮化碳或三聚氰胺制备的多孔碳,用于超级电容器应用

研究在聚丙烯腈(PAN)薄膜中掺入了三聚氰胺和由三聚氰胺热缩合得到的氮化石墨碳(g-C3N4)。然后通过热解复合薄膜制备氮掺杂多孔碳。虽然所有多孔碳的氮含量都很高,至少达到10%,但g-C3N4的掺氮效率比三聚氰胺高。氮含量随着每种掺杂剂用量的增加而提高,g-3(从质量比为 3 的 PAN/g-C3N4 复合薄膜中获得的多孔碳)的氮含量最高,达到19.0%。

成果简介

本文,宁波大学孙巍 副教授、中国科学院宁波材料所王雪飞 研究员等在《ChemistrySelect》期刊发表铭文“Porous Carbons Prepared from Polyacrylonitrile Doped with Graphitic Carbon Nitride or Melamine for Supercapacitor Applications”的论文,研究在聚丙烯腈(PAN)薄膜中掺入了三聚氰胺和由三聚氰胺热缩合得到的氮化石墨碳(g-C3N4)。然后通过热解复合薄膜制备氮掺杂多孔碳。虽然所有多孔碳的氮含量都很高,至少达到10%,但g-C3N4的掺氮效率比三聚氰胺高。氮含量随着每种掺杂剂用量的增加而提高,g-3(从质量比为 3 的 PAN/g-C3N4 复合薄膜中获得的多孔碳)的氮含量最高,达到19.0%。

在氮官能团中,吡啶-N 和吡咯-N 所占比例至少为80%。与掺杂三聚氰胺的PAN薄膜获得的碳材料相比,掺杂g-C3N4的PAN薄膜获得的碳材料具有更大的表面积和平均孔径,以及更高的孔体积。这种差异主要源于掺杂剂的热稳定性和尺寸。因此,掺杂g-C3N4的材料具有更优异的电化学性能。在电流密度为0.5A/g时,g-3电极的比电容为135.3F/g。g-C3N4 比三聚氰胺更能改善碳材料的化学成分和纹理特性,从而提高其超级电容器性能。

图文导读

宁波大学《ChemistrySelect》:由聚丙烯腈掺杂石墨氮化碳或三聚氰胺制备的多孔碳,用于超级电容器应用

图1、掺氮碳的制备示意图。

宁波大学《ChemistrySelect》:由聚丙烯腈掺杂石墨氮化碳或三聚氰胺制备的多孔碳,用于超级电容器应用

图2、(a) g-C3N4 的傅立叶变换红外光谱和 (b) XRD。g-C3N4 (c)、g-C3N4 和 PAN 复合薄膜 (d) 以及 g-3 碳薄膜 (e) 的照片。

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图3、(a)g-3 的 TEM 图像和(b、c、d)根据(e)TEM 图像绘制的(b)碳、(c)氮和(d)氧的能量色散 X 射线(EDX)图。

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图4、XPS spectra for N1s core-level peaks for (a) g-3, (b) g-4, (c) g-5, (d) m-3, (e) m-4, and (f) m-5.

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图5、采用三电极构型在6 M KOH电解质中对g-X和m-X碳材料的电化学性能

小结

使用 g-C3N4 或三聚氰胺作为氮掺杂剂,通过热解复合薄膜前驱体制备了氮掺杂多孔碳。所有多孔碳的氮含量都很高,至少达到 10%,其中吡啶-N 和吡咯-N 的氮含量至少达到 80%。随着每种掺杂剂用量的增加,氮含量也随之增加,g-3的氮含量最高,达到 19.0%。与掺杂三聚氰胺的 PAN 薄膜(m-X)相比,掺杂 g-C3N4 的 PAN 薄膜(g-X)的碳材料具有更大的比表面积和平均孔径,以及更高的孔体积,其中g-3的SBET最高,达到71.4m2/g,而m-X样品的SBET值较低,仅为 42.3~55.0 m2/g。

此外,m-X的平均孔径在 5.6至6.9nm 之间,小于g-X(11.2 至 18.8 nm)。这种差异主要源于掺杂剂的热稳定性和尺寸。在电流密度为 0.5 A/g 时,g-3电极的比电容为135.3F/g,远高于m-3 的57.0F/g。这些材料在高电流密度下具有良好的循环稳定性,在 5A/g充放电循环5000次后,仍能保持 96.6% 的初始电容。与三聚氰胺相比,g-C3N4可以改善碳材料的化学成分,从而提高超级电容器的性能。

文献:https://doi.org/10.1002/slct.202301801

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