(纯计算)中国科学技术大学乔振华团队Phys. Rev. B: Re插层石墨烯/CrI3异质结中的高温量子反常霍尔效应

在此研究中,作者从理论上表明,石墨烯/CrI3异质结中的Re插层不仅可以诱导相当大的Rashba自旋-轨道耦合(>40 meV),而且可以在谷K(22.2 meV)和K’(30.3 meV)处打开大的带隙,以及在5.5 meV(具有随机Re分布的19.5 meV)以上的全局带隙。

2023年5月22日,Phys. Rev. B在线发表了中国科学技术大学乔振华教授课题组的研究论文,题目为《Large Rashba spin-orbit coupling and high-temperature quantum anomalous Hall effect in Re-intercalated graphene/CrI3 heterostructure》。

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2010年,在Rashba自旋-轨道耦合和铁磁交换场存在的情况下,石墨烯中的量子反常霍尔效应(QAHE)被提出。经过十年的实验探索,反常霍尔电导只能达到0.25左右,单位为2e2/h,这归因于微小的Rashba自旋-轨道耦合。在此研究中,作者从理论上表明,石墨烯/CrI3异质结中的Re插层不仅可以诱导相当大的Rashba自旋-轨道耦合(>40 meV),而且可以在谷K(22.2 meV)和K’(30.3 meV)处打开大的带隙,以及在5.5 meV(具有随机Re分布的19.5 meV)以上的全局带隙。研究发现,Rashba自旋-轨道耦合对外部应力具有鲁棒性,而拉伸应变可以增加全局体相带隙。此外,还全面探索了石墨烯/CrI3体系中3d、4d、5d过渡金属插层的电子性质。

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图1 Re插层石墨烯/CrI3异质结的原子结构和电荷转移

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图2 Re插层石墨烯/CrI3异质结的能带结构、静电势、平面平均电荷密度和反常霍尔电导

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图3 有无SOC的能带结构和对于的Berry曲率分布

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图4 Re插层石墨烯/CrI3异质结随应变的带隙变化和全局带隙

论文链接

Han, Y., Yan, Z., Li, Z. et al. Large Rashba spin-orbit coupling and high-temperature quantum anomalous Hall effect in Re-intercalated graphene/CrI3 heterostructure. Phys. Rev. B2023, 107, 205412. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.205412

【其他相关文献】

[1] Zhang, J., Zhao, B., Yao, Y. et al. Robust quantum anomalous Hall effect in graphene-based van der Waals heterostructures. Phys. Rev. B2015, 92, 165418. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.165418

[2] Qiao, Z., Ren, W., Chen, H. et al. Quantum Anomalous Hall Effect in Graphene Proximity Coupled to an Antiferromagnetic Insulator. Phys. Rev. Lett., 2014, 112, 116404. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.112.116404

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