SiC

自2009年以来，研究组开展了在SiC衬底上生长石墨烯材料及其特性的研究，发展了两种在SiC衬底上生长石墨烯的新技术(已申请国家发明专利3项)，并对所制备石墨烯的物理特性(结构特征、应变、均匀性、非谐声子效应和场发射等)进行了研究，取得了初步的结果。