黄晓旭

  • 史浩飞/丁峰/黄晓旭最新NC:多晶铜箔表面成功生长晶圆级单晶石墨烯

    通过建立几何原理来描述高折射率表面上的二维材料排列,作者表明在孪晶边界两侧生长的二维材料岛可以很好地排列。作者进一步合成了具有丰富孪晶界的晶圆级铜箔,并在这些多晶铜箔的表面上成功地生长了晶圆级单晶石墨烯和六方氮化硼薄膜。这项研究为在定制的多晶衬底上生长单晶二维材料开辟了一条快速、可扩展和稳定的途径。

    2022年4月7日 科研进展
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