高腾
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山东理工大学杨兵等 ICHMT:离子轰击诱导缺陷提高3C-SiC/石墨烯/w-AlN异质界面热导
在本研究中,首先构建了3C-SiC/石墨烯/w-AlN三层异质结构模型。随后,通过分子动力学方法模拟离子轰击石墨烯过程。采用碳原子作为入射粒子,通过调节入射能量和剂量,实现对石墨烯缺陷结构的可控调控。在缺陷结构构建完成后,采用瞬态泵浦法计算了界面热导。最后系统分析不同轰击能量和剂量条件下石墨烯缺陷形貌的演化规律,并结合声子态密度及声子透射特性,探讨了缺陷对界面热输运的调控机制。
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Adv. Mater.:在硅晶圆上生长的准悬浮石墨烯
北京大学刘忠范教授、苏州大学孙靖宇、Lizhen Huang、国家纳米科学中心高腾以及中国石油大学(华东) Wen Zhao等使用界面解耦化学气相沉积策略演示了在Si晶圆上无金属催化剂的准悬浮石墨烯生长。