陈旭远

  • 山西大学 : 利用OAT法实现超高垂直石墨烯薄膜生长

    然而在前期研究中发现,竖直石墨烯的实际应用受到其高度饱和现象的限制,无法在高能量、高功率的超级电容器上充分发挥优势。竖直石墨烯高度通常在几百纳米至几微米,其高度饱和是由于竖直石墨烯片层随着沉积时间增长而聚合,改变了等离子体中鞘层电势使其分布趋于均匀,导致沉积过程中的活性粒子分布也趋于均匀,失去了在竖直方向的沉积优势。

    2021年4月8日
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