重庆科技大学
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重庆科技大学《Angew Chem》:在电子供体基底的界面纳米反应器中,以超氧阴离子为主的石墨烯缺陷标记
石墨烯中的缺陷虽常被视为结构弱点,却也是化学反应的活性位点,如何实现缺陷的精准纳米级表征与定位标记仍具挑战。因此,开发基于缺陷化学反应的精准识别与修饰策略具有重要意义。
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重庆大学胡宝山,重庆科技大学杨倩Small Methods:双层石墨烯条带阵列的限域CVD合成及其变温光谱特性
采用该方法制备的双层GR展现出独特的变温拉曼光谱和光致发光特性:其拉曼2D峰的温度系数显著低于传统双层石墨烯薄膜,并表现出光致发光反常热淬灭行为。这一研究为转角双层GR的可控制备提供了创新性策略,并为其在微纳电子器件领域的潜在应用奠定了重要基础。