郑豪龙

研究团队提出在GO膜内部预先构建有序扁平孔道，引导高温处理时的气体定向逃逸，减少结构破坏，从而构建高度取向的厚膜结构，实现热导率突破性提升基于该策略及相关参数优化，最终成功制备出厚度超110微米、热导率高达1781 W·m⁻¹·K⁻¹的石墨烯膜，较传统方法性能提升16.2%并在降低芯片热点温度方面表现出极大潜力。