郑庆东

作者开发了一种可行的制备策略，能够制造出具有极低粗糙度（均方根值<1纳米）和穿孔结构的大面积（6.25平方厘米）石墨烯源极。通过将这些溶液加工的源极与高结晶度聚合物半导体PffBT4T-2OD结合使用，我们制备出了沟道长度缩小至37纳米的VOFET，突破了传统OFET的主要局限性。