赵文宇

华中科技大学赵文宇研究团队联合日本国家材料研究所等单位首先构建了高迁移率的单层石墨烯器件，采用六方氮化硼进行全封装以获得超洁净电子通道。在器件结构上，设计了全局背栅与局域顶栅的双栅结构，使得背景载流子密度与局部区域载流子浓度可以独立调控。局域顶栅在石墨烯通道中形成一段窄尺度载流子密度“墙”，这一结构成为调制熵波传播的核心单元。