袁清红

本研究提出了一种基于真空下近熔融转移新技术，成功实现了超洁净、无损伤的Gr/h-BN超晶格的可控制备。通过宏观基底对准技术，实现了不同扭转角的多层结构，具有优异的界面质量、平整表面和精确角度调控。理论分析揭示，Ge基底在接近熔点时Ge-Ge键振动，削弱了材料与基底的结合力，从而实现高效、洁净的转移。实验与理论结合验证了该方法在调控电子结构和非线性光学性能方面的潜力。该工作为大规模转角二维异质结构的制备提供了新路径，对探究转角石墨烯/氮化硼的电子与光电性质具有重要意义，并为转角电子学的应用奠定了材料基础。