胡成

首创原子层间滑移生长新技术，实现六方氮化硼原子层间的嵌入式生长超长超窄且手性一致的石墨烯纳米带，为发展新一代超快运算、超低功耗碳基纳米信息技术提供了新材料体系；成功构建独特的原位封装纳米带晶体器件，并获得优异性能：室温下，器件的开关比可达106，载流子迁移率高达4,600 cm2V–1s–1，是石墨烯纳米带器件的最高纪录。