白金霞

在单核生长策略中，核心目标是尽可能降低成核密度，以减少基底上多核形成的可能性，从而保证单个原子核能够持续扩展并最终形成大尺度单晶。而在多核生长策略中，则需要对初始成核位置进行精确控制，以确保所有原子核取向一致，从而在后续扩展过程中实现无缝拼接并形成完整的单晶薄膜。这两种策略各具优势，但同时也伴随特定的挑战。

华南师范大学物理学院徐小志教授团队近日在《科学通报》发表题为“绝缘衬底上二维单晶材料制备研究进展”的评述文章。该文从绝缘衬底上不同种类二维单晶材料的生长行为展开探讨，回顾了近十年来过渡金属硫族化合物、石墨烯和氮化硼在绝缘衬底上的生长策略以及机理，对绝缘衬底上制备高质量二维单晶材料具有重要指导意义。