林君浩

本文介绍了一种通过在铁磁金属钴（Co）和二维材料（如石墨烯和二硫化钼）之间插入铟缓冲层来实现室温下高效率自旋注入的方法。这种铟缓冲层在Co和石墨烯之间形成了高效率的范德华（vdW）隧道接触，显著提高了自旋注入效率。通过优化铟缓冲层厚度，实现了约25%的室温自旋注入效率，并在多通道石墨烯自旋阀中展示了性能的均匀性和可扩展性。此外，该方法还成功应用于半导体材料MoS2，实现了约19.7%的自旋注入效率。该策略为未来大规模自旋电子学应用提供了一种简单、成本效益高且与工业兼容的方法。