李运勇
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ACS Nano:MXene和石墨烯双包覆硅结构实现超高面容量
近日, 广东工业大学的李运勇教授等人开发了一种双包覆Si结构,即三维(3D) Ti3C2Tx MXene和石墨烯双包覆Si(HD-Si@Ti3C2Tx@G)。由于具有高的密度和电导率,HD-Si@Ti3C2Tx@G负极在0.1 A g-1下显示出5206 mAh cm-3的超高体积容量,且能够稳定循环800次。
近日, 广东工业大学的李运勇教授等人开发了一种双包覆Si结构,即三维(3D) Ti3C2Tx MXene和石墨烯双包覆Si(HD-Si@Ti3C2Tx@G)。由于具有高的密度和电导率,HD-Si@Ti3C2Tx@G负极在0.1 A g-1下显示出5206 mAh cm-3的超高体积容量,且能够稳定循环800次。
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